[实用新型]一种平面型电磁带隙结构

权利要求书

1.一种平面型电磁带隙结构，其特征在于，包括：

电源平面、地平面以及位于所述电源平面和所述地平面之间的绝缘介质；

在所述电源平面的第一面设置有至少一个电磁带隙结构，所述电源平面的第一面指所述电源平面未与所述绝缘介质相连的一面；所述电磁带隙结构用于抑制同步开关噪声；

所述电磁带隙结构包括以M行×N列分布的M×N个基本单元，所述基本单元为L-bridge结构，其中，M和N为大于或等于3的整数；所述M×N个基本单元中每相邻的两个基本单元之间采用L-型桥连接；

在所述M×N个基本单元中内嵌有Q个双互补开口环谐振器，所述双互补开口环谐振器用于在谐振频率附近形成一个传输禁带，对电源和地平面间的噪声进行抑制，其中，所述Q为大于或等于4且小于或等于M×N的整数；Q个双互补开口环谐振器中的每个双互补开口环谐振器对应一个所述L-bridge结构；所述Q个双互补开口环谐振器按照第一预设规则排列。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述电源平面和所述地平面的材料为铜箔。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述铜箔的厚度为0.035mm。

4.根据权利要求1或2所述的结构，其特征在于，所述绝缘介质的介电常数为4.4，所述绝缘介质的耗散因子为tanδ＝0.02的FR4材料，所述绝缘介质的厚度为0.4mm。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一预设规则为：在所述M×N个基本单元的每个基本单元内均内嵌有所述双互补开口环谐振器；

或者，所述第一预设规则为：所述Q个双互补开口环谐振器中每相邻两个双互补开口环谐振器之间间隔一个未内嵌有双互补开口环谐振器的L-bridge结构。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述平面型电磁带隙结构的尺寸为长90mm×宽90mm×高0.4mm。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述电磁带隙结构包括以3行×3列分布的9个基本单元。

8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述Q个双互补开口环谐振器中存在4个端口，所述4个端口中的一个端口用作输入端口，所述四个端口中的其余三个端口用作输出端口。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述4个端口中每个端口的电阻为50Ω。