[实用新型]一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件技术领域，具体是一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构。

背景技术

受封装外形尺寸的限制，在一定的封装尺寸内能够封入的芯片面积最大值是一定的。为了在一定的封装外形尺寸内，使TVS等二极体器件实现更大的电流能力和功率能力，目前在TVS等二极体器件的制造中有人采用芯片串联的方法，但这种方法存在两个弊端：其一，对于TVS器件来说，必须采用两个半额定电压值的芯片串联，对于额定电压值≤12V的低电压TVS器件是无法实现的，原因是低电压TVS芯片当电压≤6V时、其漏电流特别大；其二，对于整流二极管来说，两个芯片串联增加了正向压降值，在使用时增加了功耗和器件的发热量。面对小型化器件提高电流能力和功率能力的市场需求，急需新的方案。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构，可在小型化封装的尺寸之内，提高器件的电流能力和功率能力。

本实用新型采用的技术方案是：一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构，包括引线框架, 由外引线A、外引线B和载片台组成，所述外引线A和外引线B上面均设有向上的定位台阶，所述外引线A与载片台为一体，所述载片台顶面设有凸台；

内引线A，由底面设有凸台的电极片和侧面向下折弯90º的焊接臂构成，所述焊接臂的底面焊接于外引线A的定位台阶之间；

内引线B，由电极片和侧面向下折弯90º的焊接臂构成，所述焊接臂的底面焊接于外引线B的定位台阶之间；

第一芯片,其阳极面与内引线A底面的凸台焊接在一起，其阴极面与内引线B的电极片顶面焊接在一起；

第二芯片，其阴极面与内引线B的电极片底面焊接在一起，其阳极面与载片台顶面的凸台焊接在一起。

所述第一芯片和第二芯片是两个具有相同功能和尺寸的TVS、半导体放电管或二极管芯片。

上述双芯片垂直并联方式的二极体封装结构的制造方法，包括以下步骤：

（1）将两个内引线与两个芯片焊接成为一个组件：a、将内引线A倒装入石墨模具的定位孔中，b、将焊片一装填入石墨模具的定位孔中，c、按阳极面朝下的方向将第一芯片装填入石墨模具的定位孔中，d、将焊片二装填入石墨模具的定位孔中，e、将内引线B倒装入石墨模具的定位孔中，f、将焊片三装填入石墨模具的定位孔中，g、按阴极面朝下的方向将第二芯片装填入石墨模具的定位孔中，h、将装配好的组件放置真空炉内烧结；

（2）烧结完成后将组件的底面粘贴到一个带有绷环的蓝膜上；

（3）利用自动焊接成套设备，将组件焊接在引线框架上：a、自动焊接成套设备先在引线框架的外引线A、外引线B的定位台阶和载片台上涂覆焊锡膏，b、吸取步骤（2）中蓝膜上的组件，c、将组件放置于引线框架上的焊锡膏上进行烧结；

（4）烧结完成后，对产品进行包封、后固化、去塑料毛刺、切筋、镀锡、测试、印字、编带、检验、入成品库。

本实用新型的优点是：用两个相同额定电压值的TVS等二极体芯片，采用垂直并联方式的封装结构和制造方法，达到了提高器件电流能力和功率能力的效果。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中引线框架的立体结构示意图；

图3为本实用新型中内引线A的立体图；

图4为本实用新型中内引线A的主视图；

图5为本实用新型中内引线B的结构示意图；

图6为本实用新型中芯片的结构示意图；

图中，1、引线框架，11、外引线A，12、外引线B，13、载片台，14、定位台阶，2、内引线A，3、焊接臂，4、电极片，5、凸台，6、内引线B，7、第一芯片，8、第二芯片。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型的技术方案作进一步的说明，但本实用新型的保护范围不限于此。

如图1至图6所示，一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构，包括引线框架1，由外引线A 11、外引线B 12和载片台13组成，外引线A 11和外引线B 12上面均设有向上的定位台阶14，外引线A 11与载片台13为一体，载片台13顶面设有凸台5；

内引线A 2，由底面设有凸台5的电极片4和侧面向下折弯90º的焊接臂3构成，焊接臂3的底面焊接于外引线A 11的定位台阶14之间；

内引线B 6，由电极片4和侧面向下折弯90º的焊接臂3构成，焊接臂3的底面焊接于外引线B 12的定位台阶14之间；