[实用新型]墨盒检测仪有效

专利信息
申请号: 201720160585.2 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN206540971U 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 卢君明;罗水强 申请(专利权)人: 上海坚芯电子科技有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01D21/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200120 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 墨盒 检测
【权利要求书】:

1.墨盒检测仪,其特征在于,包括MCU主控模块、电源模块、显示模块、存储模块、输入模块、报警模块、墨盒数据线驱动模块、墨盒地址线模块和脉冲电源驱动模块;其中,

所述电源模块的输入端与外部电源连接,所述电源模块的输出端与所述MCU主控模块的输入端连接,将外部电源输入直流电源转换成本检测仪的各个模块所需要的电压;

所述显示模块的输入端与所述MCU主控模块的输出端连接,用于根据墨盒反馈的数据测试出墨盒的电气性能的结果,将识别到的墨盒型号,剩余墨水量信息进行显示;

所述存储模块与所述MCU主控模块电连接,用于将读取的墨盒数据进行保存;

所述输入模块的输入端与所述MCU主控模块的输出端连接,用于选择要测试的墨盒的型号;

所述报警模块的输入端与所述MCU主控模块的输出端连接,用于根据MCU主控模块输出相应的报警信号,驱动报警电路发出报警响声提示是否测试成功;

所述墨盒地址线模块的输入端与所述MCU主控模块的输出端连接,所述墨盒地址线模块的输出端与所述墨盒连接,用于给墨盒地址线提供高电压和中档电压;

所述脉冲电源驱动模块的输入端与所述MCU主控模块的输出端连接,所述脉冲电源驱动模块的输出端与所述墨盒连接,用于给墨盒提供高压电源得出墨盒剩余像素点;

所述墨盒数据线驱动模块的输入端与所述MCU主控模块的输出端连接,所述墨盒数据线驱动模块的输出端与所述墨盒连接,用于得出墨盒的型号和剩余墨水量数据。

2.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述电源模块采用19V/1A的适配器,用于给主控模块,显示模块,报警模块,存储模块提供3.3V电源,给墨盒地址和数据线驱动模块提供高压和低压电源。

3.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述MCU主控模块的MCU采用NEC 78K0系列的78F0513,其中,MCU有32K的FLASH程序存储器,2K的RAM空间,高达37个I/O端口,8通道10位A/D转换,3通道串行接口,电源电压工作范围为1.8-5.5V。

4.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述显示模块为液晶显示模块,采用字符型点阵液晶LM3037BDW-1分两行显示,每行可显示16个字符。

5.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述输入模块采用5个独立按键分别为上,下,左,右,选择确认键。

6.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述报警模块采用光传感器与蜂鸣器。

7.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述存储模块采用IIC总线串行EEPROM芯片,2线串行总线,斯密特触发,噪声抑制滤波输入。

8.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述墨盒地址线模块包括NPN型三极管Q1、PNP型三极管Q2和电阻R1、R2、R3、R4、R5;其中,所述电阻R2的一端与所述MCU主控模块的输出端相连,所述电阻R2的另一端与所述NPN型三极管Q1的基极相连,所述NPN型三极管Q1的集电极与所述电阻R1、电阻R3的一端相连,所述NPN型三极管Q1的发射极接地,所述电阻R3的另一端与所述PNP型三极管Q2的基极的相连,所述PNP型三极管Q2的集电极与所述电阻R4的一端相连,所述电阻R4的另一端、电阻R1的另一端与9V电压相连,所述PNP型三极管Q2的发射极、电阻R5的一端与所述墨盒相连,所述电阻R5的另一端接地。

9.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述脉冲电源驱动模块包括NPN型三极管Q11、PNP型三极管Q12和电阻R11、R12、R13、R14、R15;其中,所述电阻R12的一端与所述MCU主控模块的输出端相连,所述电阻R12的另一端与所述NPN型三极管Q11的基极相连,所述NPN型三极管Q11的集电极与所述电阻R11、电阻R13的一端相连,所述NPN型三极管Q11的发射极接地,所述电阻R13的另一端与所述PNP型三极管Q12的基极的相连,所述PNP型三极管Q12的集电极与所述电阻R14的一端相连,所述电阻R14的另一端、电阻R11的另一端与16V电压相连,所述PNP型三极管Q12的发射极、电阻R15的一端与墨盒相连,所述电阻R15的另一端接地。

10.按照权利要求1所述的墨盒检测仪,其特征在于,所述墨盒数据线驱动模块通过对墨盒数据线分压电阻后送到主控MCU进行AD转换测量,从而识别出高电平和低电平。

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