[实用新型]一种高电压输入带隙基准电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源集成电路领域，尤其涉及一种高电压输入带隙基准电路。

背景技术

现有技术中，通常高压输入的基准带隙基准电压都为低压电路组成，如果输入是高压电源的话，就需要先产生一个线性稳压源给这个低压电路供电，然后在低压带隙基准电压源启动之后再去为这个线性稳压源提供基准电压。此外，此种结构需要产生了一个额外的补偿网络进行环路控制，增加了控制电路的复杂性；并且如果想要得到其它分压电压的输出，还需要增加额外的电路，进一步增加了电路整体的复杂度和面积。

实用新型内容

为解决现有技术中的问题，本实用新型提供一种高电压输入带隙基准电路。

本实用新型包括高压隔离模块、温度正相关电流产生模块、电压反馈模块、钳位反馈模块和带隙基准输出模块，所述高压隔离模块输入端接高压输入电源，所述高压隔离模块输出端与温度正相关电流产生模块输入端相连，所述温度正相关电流产生模块输出端与带隙基准输出模块输入端相连，所述电压反馈模块和钳位反馈模块的输出端分别与高压隔离模块输入端和带隙基准输出模块输入端相连。

本实用新型作进一步改进，所述高压隔离模块采用MOS管的漏极和源级之间的耐压将高压输入电源与低压电路进行隔离。

本实用新型作进一步改进，所述高压隔离模块包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MP3，其中，所述MOS管MP1与MOS管MP2源极相连并接电源电压输入端，MOS管MP1、MOS管MP2的栅级相连接并分别与MOS管MP2的漏极和MOS管MP3的源极相连，所述MOS管MP3的栅极和MOS管MP1的漏极分别与电压反馈模块和钳位反馈模块相连，所述MOS管MP3的漏极与带隙基准输出模块输入端相连。

本实用新型作进一步改进，所述电压反馈模块为MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MP3、电阻R3和电阻R4组成的回路，其中，电阻R3一端与MOS管MP3的漏极相连，所述电阻R3另一端与电阻R4一端相连，所述电阻R4另一端接地。

本实用新型作进一步改进，所述温度正相关电流产生模块包括MOS管P1、MOS管P2、三极管Q1、三极管Q2和电阻R1，所述MOS管P1和MOS管P2的源极分别与MOS管MP1的漏极相连，所述MOS管P1、MOS管P2的栅极相接并与三极管Q1的集电极相连，三极管Q1和三极管Q2的基极相接并与MOS管MP3的漏极相连，电阻R1一端与三极管Q1发射极相连，电阻R1另一端分别与三极管Q2发射极和电阻R2一端相连，三极管Q2集电极与MOS管P2漏极相连并与MOS管MP3的栅级相连。

本实用新型作进一步改进，所述带隙基准输出模块的输出电压为三极管Q2基极到发射极之间电压加上电阻R2的电压差，三极管Q2基极到发射极之间电压为负温，而电阻R2的电压差为正温，所以调整电阻R2与电阻R1的电阻系数则可以得到零温特性电压。

本实用新型作进一步改进，所述带隙基准输出模块能够输出一个以上的分压电压，其中 ，每个输出的分压电压通过分压电阻实现。

本实用新型作进一步改进，所述钳位反馈模块包括MOS管P3和稳压二极管DZ1，所述MOS管P3源极分别与MOS管P1、MOS管P2的源级相连，MOS管P3的栅极分别与MOS管MP3的栅极、MOS管P2的漏极和三极管Q2的集电极相连，MOS管P3的漏极与稳压二极管DZ1负极相连，稳压二极管DZ1正极接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：仅通过几个元件即可将高压输入直接转换得到带隙基准电压，结构简单；同时通过分压电阻可以直接得到分压基准源输出，不用额外的电路，更省面积；同时本实用新型系统稳定性强，电压反馈环路提供良好的环路稳定性；钳位反馈电路提供优良的电源抑制比，不用额外的补偿网络便可以完成设计要求，特别适用于AC-DC、DC-DC芯片中的应用。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型一实施例电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图1所示，本实用新型包括高压隔离模块、温度正相关电流产生模块、电压反馈模块、钳位反馈模块和带隙基准输出模块，所述高压隔离模块输入端接高压输入电源，所述高压隔离模块输出端与温度正相关电流产生模块输入端相连，所述温度正相关电流产生模块输出端与带隙基准输出模块输入端相连，所述电压反馈模块和钳位反馈模块的输出端分别与高压隔离模块输入端和带隙基准输出模块输入端相连。