[实用新型]一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件有效
| 申请号： | 201720153657.0 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN206628490U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 缪峰 | 申请（专利权）人： | 缪峰 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/109 |
| 代理公司： | 江苏银创律师事务所32242 | 代理人： | 孙计良 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市仙*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 黑砷磷 用于 红外 探测 器件 | ||
1.一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件，用于检测红外线，其特征在于，包括绝缘衬底、第一半导体、第二半导体；所述第一半导体和第二半导体安装在所述绝缘衬底上；所述第一半导体和第二半导体相接触而形成异质结；所述第一半导体和第二半导体分别连接有电极；所述第一半导体为黑砷磷二维层状材料。
2.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第一半导体为厚度不超过50nm的黑砷磷二维层状材料。
3.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第一半导体的黑砷磷二维层状材料中的砷含量为10%~90%。
4.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第一半导体的黑砷磷二维层状材料中的砷含量为83%。
5.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第二半导体为厚度不超过50nm的硫化钼二维层状材料。
6.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第二半导体为黑砷磷二维层状材料；所述第一半导体和第二半导体的黑砷磷具有不同的砷含量。
7.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第二半导体为过渡金属硫族化合物的二维层状材料。
8.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第二半导体为石墨烯或黑磷的二维层状材料。
9.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述绝缘衬底为二氧化硅或三氧化二铝或PMMA或PDMS。
10.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，还包括用于绝缘隔离和空气隔离的封装结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
