[实用新型]多晶硅检测采样设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅制造设备，特别是涉及多晶硅检测采样设备。

背景技术

随着多晶硅生产技术的发展，目前的多晶硅产品主要是颗粒和粉状形式，颗粒硅直径大部分在0.1-3mm左右，硅纯度在99.999％以上。而颗粒状多晶硅的成份检测是产品生产过程中质量掌握的重要手段。

传统的多晶硅成份检测方法主要是针对西门子法还原炉生产的较密实的多晶硅棒料，产品需要检测取样时需要取一段长度，直径在50-200mm之间的多晶硅棒料，采用金刚石空心筒状钻头在颗粒硅料棒中平行与硅芯的方向的取一根直径在10-30mm之间的硅料棒作为硅成份分析的制样，钻取出的样品经过研磨、抛光后按照多晶硅中基硼基磷含量的检测方法进行检测。

而颗粒状多晶硅由于产品是颗粒状无法采取上述方法进行样品制备，所以不能直接采用上述传统的多晶硅检测设备及方法进行分析检测，需要采用一种新型的颗粒状多晶硅采样设备对其进行采样。

实用新型内容

基于此，有必要针对现有的设备无法有效地对颗粒状多晶硅有效地采样的问题，提供一种可以有效对颗粒状多晶硅有效地采样检测的多晶硅检测采样设备。

一种多晶硅检测采样设备，包括：

支架；

竖直固定于所述支架上的容纳管，用以容纳颗粒硅料，所述容纳管具有上端口；

位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴，所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶，使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方；

设置于所述容纳管的外侧壁、且对应所述单晶硅籽晶所在位置的加热机构，用于对所述单晶硅籽晶进行加热，使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状，以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面。

上述多晶硅检测采样设备能够使对颗粒硅料进行制样，以备后续对该颗粒硅料进行纯度检测。

在其中一个实施方式中，所述多晶硅检测采样设备还包括：

与所述加热机构连接的升降机构，用以调节所述加热机构沿所述容纳管的外侧壁移动。

在其中一个实施方式中，所述加热机构包括：

套设于所述容纳管外侧壁的环形预热件及高频线圈，所述环形预热件用以对所述单晶硅籽晶加热至导电温度，所述高频线圈用以对该单晶硅籽晶进一步加热至单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状。

在其中一个实施方式中，所述多晶硅采样设备还包括：

与所述高频线圈连接的第一升降单元，用以调节所述高频线圈的高度。

在其中一个实施方式中，所述第一升降单元包括：

电机：

由所述电机驱动升降的升降杆，用以带动所述高频线圈上下移动。

在其中一个实施方式中，所述多晶硅采样设备还包括：

与所述预热件连接的第二升降单元，用以调节所述预热件的高度。

在其中一个实施方式中，所述高频线圈位于所述环形预热件的下侧，所述高频线圈与所述环形预热件的间隔距离为5-8mm。

在其中一个实施方式中，所述容纳管还具有下端口，多晶硅检测采样设备还包括：

位于所述容纳管内的活塞以及一端连接于所述活塞，并由所述下端口延伸至容纳管外的下轴，所述活塞承载颗粒硅料，并带动所述颗粒硅料在所述容纳管内上下移动。

在其中一个实施方式中，所述多晶硅检测采样设备还包括：

下底座，用以密封所述下端口。

其中一个实施方式中，所述多晶硅检测采样设备还包括：上盖，用以密封所述上端口。

附图说明

图1为本实用新型一优选实施方式的多晶硅检测采样设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。