[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201720142030.5 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206441709U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 周士杰;陈圣铁 | 申请(专利权)人: | 温州隆润科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08 |
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地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及湿法刻蚀工艺技术领域,具体为一种刻蚀装置。
背景技术
湿法刻蚀工艺主要是指采用液态化学药品对刻蚀物进行去除的刻蚀技术,具体为通过刻蚀液与刻蚀物进行化学反应,改变刻蚀物的结构,使无光刻胶覆盖的刻蚀物部分脱离基板表面,而把有光刻胶覆盖的刻蚀物区域保存下来,这样在基板上得到了所需要的刻蚀物图形。
湿法刻蚀设备一般是在湿法刻蚀槽内利用酸性液体通过喷嘴对待刻蚀基板进行喷淋,从而达到刻蚀目的。随着平板显示行业中基板尺寸的增大,在湿法刻蚀过程中,基板表面积聚的药液越来越多从而使得基板表面的药液置换性变差,从而导致设置在基板上的刻蚀物刻蚀的均一性变差,严重影响产品的良率。
太阳能电池作为一种绿色能源,在全球能源战略中的扮演的角色愈来愈重要,有关太阳能电池的研究也越来越广泛。目前的太阳能电池以晶体硅电池为主。常规的晶体硅电池的制备工艺包括按顺序进行的硅片制绒 ;扩散,形成扩散表面 ;单边刻蚀,形成刻蚀区 ;镀膜 ;丝网印刷及烧结。
目前,单边刻蚀中经常采用湿法刻蚀。现有的湿法刻蚀装置主要包括上料槽体 10’和刻蚀槽体 20’。其中上料槽体 10’中设有导轮 120’,刻蚀槽体 20’中设有导轮 220’。采用上述湿法刻蚀机进行湿法刻蚀的过程主要是对已完成扩散的硅片 30’进行药液刻蚀,用以在硅片中除扩散表面以外的表面(待刻蚀面)形成刻蚀区。具体地,将扩散后的硅片在导轮 220’的输送下经过刻蚀槽 20’中的药液表面,使硅片的待刻蚀面与药液接触,以完成刻蚀。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种刻蚀装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种刻蚀装置,包括刻蚀装置本体、硅基体和气压腔,所述刻蚀装置本体的侧面顶部设有报警指示灯,所述刻蚀装置本体的下方设有控制箱,控制箱的内部设有内置电路,所述控制箱的内部设有刻蚀仓,刻蚀仓的顶部设有多个喷嘴,所述喷嘴的正下方设有硅基体。
优选的,所述硅基体上设有刻蚀开口,所述刻蚀开口上设有红外吸收区,红外吸收区四周设有热电堆,所述热电堆的一侧设有支撑臂,所述支撑臂垂直于红外吸收区的四条边。
优选的,所述喷嘴的顶部设有气压腔,所述气压腔的下方设有酸液腔,所述酸液腔的侧壁设有导液管,所述导液管焊接在酸液腔的侧壁上,所述酸液腔的下方中央设有喷头,所述喷头为倒置状,所述喷头的侧面设有定位器。
优选的,所述气压腔与酸液腔之间设有导管连通。
优选的,所述内置电路上设有电源模块,所述电源模块的另一端设有主控电路,所述主控电路的一侧设有无线网模块、存储模块,所述无线网模块、存储模块相互并联,所述主控电路的另一端设有智能控制模块,所述电源模块、主控电路、智能控制模块相互串联。
优选的,所述智能控制模块的一端设有报警电路,所述报警电路的一侧设有气泵控制模块,所述气泵控制模块的一侧设有驱动电路,所述驱动电路的一端设有检测电路,所述驱动电路的一侧设有喷嘴控制模块,所述喷嘴控制模块的另一端设有定位模块,所述报警电路、气泵控制模块与驱动电路、检测电路相互与喷嘴控制模块、定位模块相互并联。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1)本实用新型中,在刻蚀装置本体的右上方侧面装有报警指示灯,当内置电路上的检测电路检测到湿法刻蚀过程中出现异常,报警电路将会使报警电路不断闪烁出相应的颜色来提示人们具体的异常点是什么;
(2)本实用新型中,在刻蚀装置本体的刻蚀仓上设有防护玻璃,避免在进行化学反应的时候,酸溶液监处伤人,也能避免有害气体跑出;
(3)本实用新型设计合理、结构简单,能够方便在湿法刻蚀装置的过程中得到品质良好的产品,同时还能准确定位需要进行化学反应去除的部分,通过本实用新型生产的产品,不仅质量好而且生产效率高,实现现代化安全生产。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为本实用新型的俯视图;
图3为本实用新型的局部结构示意图;
图4为本实用新型的控制原理框图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造