[实用新型]用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列有效

专利信息
申请号: 201720140423.2 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN206497228U 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 钱福琦;刘鹤;周听飞 申请(专利权)人: 深圳市鹏大光电技术有限公司
主分类号: G02B6/26 分类号: G02B6/26
代理公司: 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙)44324 代理人: 周松强
地址: 518000 广东省深圳市坪山新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 vscel pin 阵列 耦合 半球 透镜 光纤
【权利要求书】:

1.一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列,其特征在于,包括基板、盖板和多根光纤,所述基板包括基板前段和基板后段,所述基板前段上表面高于所述基板后段上表面,所述基板前段上表面上设有多个与多根光纤一一对应的V形槽,每根光纤均设置在与其对应的V形槽内,且每根光纤均从基板前段向前伸出形成收集光信号的聚光体,所述盖板设置在基板前段上,且盖板与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间;所述聚光体包括与基板底面呈30-60°夹角的光学平面和衔接光学平面与光纤底面的弧形球面,所述弧形球面的曲率半径为75-125um。

2.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列,其特征在于,所述盖板与基板后段之间的光纤上覆盖有用于固定和保护光纤的尾胶,且所述尾胶的高度小于或等于盖板的高度。

3.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列,其特征在于,所述聚光体的长度大于0.15mm。

4.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列,其特征在于,所述基板前段和基板后段的交界处设有过度斜面。

5.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列,其特征在于,每个V形槽的底面均与基板后段的上表面高度一致。

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