[实用新型]一种基于聚合物凸点芯片的物理防拆的RFID电子标签有效
申请号: | 201720140104.1 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206451220U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 张莉萍 | 申请(专利权)人: | 上海坤锐电子科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 聚合物 芯片 物理 rfid 电子标签 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子防伪技术领域,具体涉及一种基于聚合物凸点芯片的物理防拆的RFID电子标签。
背景技术
射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)电子标签按频段一般分为低频,高频,超高频三种,目前普遍用于商业领域的是高频和超高频。由于具有读写距离远,存储量大,被广泛用于物流跟踪,产品销售跟踪上。为了避免物品上的标签被拆下用贴在其他的物品上,对电子标签的防拆,防转移提出了更高的要求。比如国内的假烟假酒很多,在烟酒等产品上贴RFID电子标签用来做防伪,就要求RFID标签不能被拆下来用在假烟假酒上。
现有技术中防伪技术主要有芯片算法加密,天线材料物理防揭,从实际应用上,芯片与天线间采用各向异性导电胶连接,物理防揭虽然对标签天线有一定的损坏,但是采用特殊的溶剂或酸可以破坏芯片与天线间的连接,将芯片取下后,重新加工一层标签天线,将芯片封装在天线材料上重新封装也是可行的,由此不能避免由于芯片被拆下,重新封装导致标签被仿制并被再次使用的问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种基于聚合物凸点芯片的物理防拆的RFID电子标签,用于解决芯片从标签天线拆下后不能被再次封装使用的问题。
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:
一种基于聚合物凸点芯片的物理防拆的RFID电子标签,包括Polymer凸点芯片,标签天线,以及各向异性导电胶,Polymer凸点芯片包括芯片,覆盖在芯片上的Polymer层,以及承载在Polymer上的铜凸点,标签天线包括形成天线导电回路的天线导电层和天线基材。
优选的,所述Polymer凸点芯片和所述标签天线之间通过所述各向异性导电胶经过一定的压力和温度固化后形成电气连接。
优选的,包括一种效果,采用化学的方法溶解导电胶拆除这种连接时,会破坏芯片的Polymer层以及芯片的铜凸点,从而使芯片不能再次被封装。
优选的,所述Polymer层具有厚度,覆盖在除了所述芯片焊盘的芯片表面,以所述芯片焊盘为电极在Polymer层上形成铜凸点。
优选的,所述天线导电层可以是铝,铜或银浆等多种导电材料中的任意一种,所述天线基材可以是PET,纸等RFID天线材料中的任意一种。
优选的,所述Polymer凸点芯片采用裸die方式,芯片表面的铜凸点,通过所述各向异性导电胶连接在所述天线导电层上。
优选的,所述天线导电层焊盘位置,通过点胶或喷胶的方式,涂布各向异性导电胶,然后将Polymer凸点芯片倒装在天线导电层焊盘位置,经过一定的温度及压力,各向异性导电胶中的导电颗粒将铜凸点与天线导电层连接在一起。
优选的,所述标签天线厚度为9.5-13.5um,所述天线基材可以是易碎PET膜或易碎纸,所述天线导电层可以是蚀刻铝箔或印刷银浆层,所述Polymer凸点芯片厚度为150um,Polymer层厚度为5-7um,铜厚为2um。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型的电子标签拆除时采用溶剂或酸溶解破坏导电胶的连接,由于Polymer和导电胶相同的特性,导致Polymer也被破坏,同时由于铜焊盘极易被氧化腐蚀,芯片的焊盘被破坏,芯片即使被取下来,也不能被再次封装利用,标签也就不能被仿制和再次使用,具有很强的创造性。
附图说明
图1是Polymer凸点芯片加标签天线结构示意图;
图2是Polymer凸点芯片结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型是一款一种基于聚合物凸点芯片的物理防拆的RFID电子标签,2标签天线,以及6各向异性导电胶组合实现防拆的电子标签,结构如图1所示,包括1Polymer凸点芯片,2标签天线,以及连接芯片和天线的6各向异性导电胶。
其中1Polymer凸点芯片的结构如图2所示。
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