[实用新型]薄膜体声波谐振器及滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述谐振器包括带空气隙的硅基片和覆盖在所述空气隙上的压电三明治结构；所述压电三明治结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠；所述顶电极、所述压电材料、所述底电极在各自完整沉积后再逐一图形化，且图形化后自上而下顶电极、压电薄膜层、底电极层面积逐层增大，所述压电三明治结构的边缘呈台阶状；所述压电三明治结构的其中一侧台阶状边缘均位于同侧空气隙边缘的外侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：还包括钝化层，所述钝化层覆盖位于所述空气隙边缘外侧的台阶状边缘。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：还包括有机薄膜层，所述有机薄膜层覆盖所述压电三明治结构位于所述空气隙边缘外侧的台阶状边缘的顶电极边缘至同侧空气隙边缘的区域。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述有机薄膜层的材质为聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电材料至少包括氮化铝、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂、锆钛酸铅压电陶瓷之一。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极的材料至少包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝、铬、金之一。

7.一种滤波器，包括权利要求1-6任一项所述的薄膜体声波谐振器。