[实用新型]一种多边双面且高透光率的单晶硅片有效
申请号: | 201720139328.0 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206451725U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 周士杰;陈圣铁 | 申请(专利权)人: | 温州隆润科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/056;H01L31/052 |
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地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多边 双面 透光率 单晶硅 | ||
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片技术领域,尤其涉及一种多边双面且高透光率的单晶硅片。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
随着太阳能电池市场的快速成长,太阳能电池板主要由晶体硅片制作而成,而提高硅片的透光率以及受光率至关重要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的透光率以及受光率不够高的缺点,而提出的一种多边双面且高透光率的单晶硅片。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
设计一种多边双面且高透光率的单晶硅片,包括硅片层,所述硅片层的顶面设置有第三减反射膜,且硅片层的底面设置有第一减反射膜,所述硅片层的左右两个侧边均设置有散热板,且第三减反射膜的顶部设置有透光层,所述透光层的顶面设置有超白钢化玻璃,所述超白钢化玻璃远离透光层的一面贴设有第二减反射膜,所述超白钢化玻璃的两端分别通过连接板连接有弧面反射板,所述弧面反射板罩设在硅片层的底部,且弧面反射板的反射聚焦点位于硅片层上。
优选的,所述透光层由多个连续设置的半圆形透镜组成,且多个所述半圆形透镜的凸起面为靠近硅片层设置。
优选的,所述弧面反射板的内侧贴设有多个反射块,且多个所述反射块的反射聚焦点均位于硅片层上。
优选的,所述连接板上开设有多个散热孔。
本实用新型提出的一种多边双面且高透光率的单晶硅片,有益效果在于:本实用新型使硅片层双面接受光照,以及在硅片层的双面均设置有减反射膜,能够有效提高光能的利用效率,并且在硅片层表面设置有穿透性高的超白钢化玻璃,能够有效提高透光率,使硅片使用时具有更好的使用效果。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种多边双面且高透光率的单晶硅片的结构示意图。
图中:硅片层1、第一减反射膜2、透光层3、超白钢化玻璃4、第二减反射膜5、第三减反射膜6、半圆形透镜7、连接板8、散热板9、反射块10、弧面反射板11。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1,一种多边双面且高透光率的单晶硅片,包括硅片层1,硅片层1的顶面设置有第三减反射膜6,且硅片层1的底面设置有第一减反射膜2,硅片层1的左右两个侧边均设置有散热板9,且第三减反射膜6的顶部设置有透光层3,透光层3的顶面设置有超白钢化玻璃4,超白钢化玻璃4远离透光层3的一面贴设有第二减反射膜5,透光层3由多个连续设置的半圆形透镜7组成,且多个半圆形透镜7的凸起面为靠近硅片层1设置,半圆形透镜7能够大大提高光线的利用率。
超白钢化玻璃4的两端分别通过连接板8连接有弧面反射板11,所述连接板8上开设有多个散热孔,便于对硅片层在使用过程中产生的热量进行散热,弧面反射板11罩设在硅片层1的底部,且弧面反射板11的反射聚焦点位于硅片层1上,弧面反射板11的内侧贴设有多个反射块10,且多个反射块10的反射聚焦点均位于硅片层1上,这样设置可使穿过超白钢化玻璃4的部分光线落在弧面反射板11上,再由弧面反射板11上的多个反射块10将光线反射到硅片层1的底面,使硅片层1双面受光,提高光能的利用效率。
光线透过超白钢化玻璃4一部分落在硅片层1的顶面,另一部分照射在弧面反射板11上,再由弧面反射板11上的多个反射块10将光线反射到硅片层1的底面,使硅片层1双面受光,提高光能的利用效率。
本实用新型具有结构简单、使用方便等优点,通过使硅片层双面接受光照,以及在硅片表面设置穿透性高的超白钢化玻璃,能够有效提高硅片的透光率以及受光率。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的