[实用新型]半导体散热结构

说明书

技术领域

本实用新型系有关于一种半导体散热结构，特别是指一种具有高功率的半导体散热结构。

背景技术

随着光通讯元件效能的提升，其元件的需求也朝着体积小、高性能、高功率、高传输速度、耐热以及耐压的方向来发展，其中又以雷射二极体的运用最为广泛，当雷射二极体驱动时，必然会产生大量的热，若未适时地将热排除，则会导致雷射二极体的接面温度升高，使得自身元件的效能以及寿命降低，必然衍生出元件可靠度的问题，因此有必要针对散热的问题进行处理藉以提升元件的可靠度。

在光通讯领域中，雷射二极体的散热问题一直是学界与业界人士首要解决的问题，传统的雷射二极体系利用金属线打线方式再搭配散热基板进行封装，相较于导热性较好的金属线，热源会藉由金属线以及散热基板进行热传导，但金属线与雷射二极体电极的接触面积太小且雷射二极体的发光区距离散热基板太远，可能无法适时散热，进而影响到元件自身的发光效率与其寿命。因此，为克服上述的问题，本案发明人认为有必要针对如何改善雷射二极体散热不佳提供一种有效的散热结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决习知技术中雷射二极体散热效果不佳影响自身发光效率甚或产品寿命的问题，提供一种具有高功率的半导体散热结构。

为实现上述目的，本实用新型公开了一种半导体散热结构，其特征在于包含：

一散热基板，该散热基板的一侧设有一平面；以及

一边射型雷射二极体，包含一主动区、一设置于该散热基板上沟槽两侧以固定该边射型雷射二极体的金属焊料层以及一设置于该主动区发光区域一侧的梁脊部，该边射型雷射二极体设置于该散热基板上，并透过降低该边射型雷射二极体的主动区令该主动区与该边射型雷射二极体及金属焊料层接触面之间的距离为2μm至14μm，该边射型雷射二极体的出光方向与该散热基板的平面平行，并于该散热基板上具有一沟槽，该边射型雷射二极体的梁脊部对准设置于该散热基板上沟槽的开口位置以避免该散热基板接触该边射型雷射二极体的梁脊部。

其中，该散热基板为陶瓷基板。

其中，该散热基板由氮化铝、碳化硅或氧化铝所制成。

其中，该沟槽的宽度大于该边射型雷射二极体的梁脊部。

其中，该沟槽由该散热基板的平面上的一侧延伸至相对的另一侧。

还公开了一种半导体散热结构，其特征在于包含：

一散热基板，该散热基板的一侧包含有一平面；

一金属焊料层，设置于该散热基板的平面上，且该金属焊料层具有一沟槽；以及

一边射型雷射二极体，包含有一主动区以及一设置于该主动区发光区域一侧的梁脊部，该边射型雷射二极体设置于该金属焊料层上，并透过降低该边射型雷射二极体的主动区令该主动区与该边射型雷射二极体及该金属焊料层接触面之间的距离为2μm至14μm，该边射型雷射二极体的出光方向与该散热基板的平面平行，该边射型雷射二极体的梁脊部对准设置于该金属焊料层沟槽上的开口位置以避免该金属焊料层接触该边射型雷射二极体的梁脊部。

其中，该散热基板为陶瓷基板。

其中，该散热基板由氮化铝、碳化硅或氧化铝所制成。

其中，该沟槽的宽度大于该边射型雷射二极体的梁脊部。

是以，本实用新型比起习知技术具有以下优势功效：

1.本实用新型的半导体散热结构系将边射型雷射二极体系设置于该金属焊料层上并透过降低该边射型雷射二极体的主动区，使该边射型雷射二极体的主动区靠近于散热基板，藉以缩短该边射型雷射二极体的导热途径，有效地将边射型雷射二极体产生的热以较短的距离传导至该散热基板。

2.本实用新型中的半导体散热结构透过将沟槽设置于该散热基板上，使边射型雷射二极体的梁脊部对准至该沟槽上的开口位置，避免散热基板伤害到该边射型雷射二极体的梁脊部进一步影响其发光品质。

附图说明

图1为本实用新型第一实施态样的立体示意图。

图2为本实用新型第一实施态样的剖面示意图。

图3为本实用新型第二实施态样的立体示意图。

图4为本实用新型第二实施态样的剖面示意图。

具体实施方式

有关本实用新型之详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下。再者，本实用新型中之图式，为说明方便，其比例未必照实际比例绘制，该等图式及其比例并非用以限制本实用新型之范围，在此先行叙明。

请先参阅图1，本实用新型第一实施态样的立体示意图，如图所示：