[实用新型]硅基Ge光探测器阵列

权利要求书

1.一种硅基Ge光探测器阵列，其特征在于，包括：

硅衬底；

N++型掺杂层，形成于所述硅衬底表面；

本征Ge层，形成于所述N++型掺杂层表面；

P+型掺杂区阵列，形成于所述本征Ge层表面；

N+型掺杂区，形成于各P+型掺杂区之间的本征Ge层中，且各P+型掺杂区及各N+型掺杂区之间被本征Ge层隔开；

上金属电极；形成于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面；

深槽，形成于各P+型掺杂区之间。

2.根据权利要求1所述的硅基Ge光探测器阵列，其特征在于：所述深槽的深度不小于所述本征Ge层的厚度。

3.根据权利要求1所述的硅基Ge光探测器阵列，其特征在于：所述深槽的宽度小于所述N+型掺杂区的宽度。

4.根据权利要求1所述的硅基Ge光探测器阵列，其特征在于：所述深槽的宽度小于或等于所述N+型掺杂区的宽度的一半。

5.根据权利要求1所述的硅基Ge光探测器阵列，其特征在于：所述深槽的截面形状包括矩形、U型及倒梯形中的一种。