[实用新型]一种小体积低功耗稳压电源电路有效
申请号: | 201720126033.X | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN206460349U | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 张翼;邵珠雷;宿珊珊 | 申请(专利权)人: | 许昌学院 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 461000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 体积 功耗 稳压电源 电路 | ||
1.小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,其包括整流电路、合并基准源型稳压电路、自启动偏置电路;
整流电路将无线交流电源的输入交流电变为直流电输出;
合并基准源型稳压电路对整流电路输入的直流电进行调节及稳压,并输出给负载;
自启动偏置电路在不需要额外启动电路的情况下保持正常工作状态,并为合并基准源型稳压电路的正常工作提供偏置电流。
2.根据权利要求1所述小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,整流电路主要包括副边耦合电感L1、MOS管M8、MOS管M9、肖特基二极管D1、肖特基二极管D2、电容C2。
3.根据权利要求2所述小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,副边耦合电感L1的左端连接MOS管M8的漏极,副边耦合电感L1的右端连接MOS管M9的漏极;
MOS管M8的栅极连接MOS管M9的漏极,MOS管M8的源极接地;
MOS管M9的栅极连接MOS管M8的漏极,MOS管M9的源极接地;
肖特基二极管D1的阳极连接MOS管M8的漏极,肖特基二极管D1的阴极连接肖特基二极管D2的阴极,肖特基二极管D2的阳极连接MOS管M9的漏极;
电容C2的上端连接肖特基二极管D2的阴极,电容C2的下端接地。
4.根据权利要求1所述小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,合并基准源型稳压电路主要包括,MOS管M11、MOS管M12、误差放大器E1、晶体三极管Q1、晶体三极管Q2、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1。
5.根据权利要求4所述小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,MOS管M11的漏极连接肖特基二极管D1的阳极,MOS管M11的基底连接肖特基二极管D1的阴极,MOS管M11的源极连接电阻R3的上端,MOS管M11的栅极连接误差放大器E1的输出端;
MOS管M12的漏极连接肖特基二极管D2的阳极,MOS管M12的基底连接肖特基二极管D2的阴极,MOS管M12的源极连接MOS管M11的源极,MOS管M12的栅极连接MOS管M11的栅极;
误差放大器E1的反相输入端连接晶体三极管Q2的集电极,误差放大器E1的同相输入端连接电阻R4的上端,误差放大器E1的输出端连接MOS管M12的栅极;
晶体三极管Q1的基极连接晶体三极管Q1的集电极,晶体三极管Q1的集电极连接电阻R4的下端,晶体三极管Q1的发射极接地;
晶体三极管Q2的基极连接晶体三极管Q2的集电极,晶体三极管Q2的集电极连接电阻R5的下端,晶体三极管Q2的发射极接地;
电阻R2的上端连接误差放大器E1的同相输入端,电阻R2的下端接地;
电阻R3的上端连接电阻R5的上端,电阻R3的下端连接电阻R4的上端;
电阻R5的下端连接电阻R6的上端,电阻R6的下端接地;
电容C1的上端连接电阻R5的上端,电容C1的下端接地。
6.根据权利要求1所述小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,自启动偏置电路主要包括,MOS管M1至M7、电阻R1。
7.根据权利要求6所述小体积低功耗稳压电源电路,其特征在于,MOS管M1的源极连接肖特基二极管D1的阴极,MOS管M1的漏极连接MOS管M4的漏极,MOS管M1的栅极连接MOS管M2的栅极;
MOS管M2的源极连接MOS管M1的源极,MOS管M2的漏极连接MOS管M6的漏极并连接MOS管M2的栅极;
MOS管M3的漏极连接MOS管M2的源极,MOS管M3的源极连接MOS管M4的栅极,MOS管M3的栅极连接MOS管M4的漏极;
MOS管M4的栅极连接MOS管M5的漏极,MOS管M4的源极接地;
MOS管M5的栅极连接MOS管M6的栅极,MOS管M5的源极接地;
MOS管M6的漏极连接MOS管M7的栅极,MOS管M6的栅极连接MOS管M4的栅极,MOS管M6的源极连接电阻R1的上端,电阻R1的下端接地;
MOS管M7的源极连接MOS管M1的源极,MOS管M7的栅极连接MOS管M2的漏极,MOS管M7的漏极连接误差放大器E1的偏置电流输入端。
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