[实用新型]一种WIFI磁力锁控制电路有效

专利信息
申请号: 201720124209.8 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN206523758U 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 洪旭 申请(专利权)人: 广东沫益清环保科技有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;G08C17/02
代理公司: 北京久维律师事务所11582 代理人: 邢江峰
地址: 510000 广东省广州市高新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 wifi 磁力锁 控制电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及设备电路领域,尤其涉及一种WIFI磁力锁控制电路。

背景技术

科学发展,社会进步,生活中各种设备都随之发展,尤其是门锁设备,当下门锁用钥匙开锁麻烦,同时当下门锁安全性能低,不能有效的起到防盗作用,发明一种WIFI磁力锁能够方便开锁,有效的保证财产安全,同时方便操作。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种WIFI磁力锁控制电路,以解决上述技术问题,为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案:

一种WIFI磁力锁控制电路,磁力锁控制电路主要包括电源电路、STM32M107VCT6单片机、ESP8266WIFI电路、CH340G通信电路及SPI-FLASH存储电路,所述电源电路与STM32M107VCT6单片机连接,并通过STM32M107VCT6单片机为磁力锁控制电路提供稳定的电源输入,所述STM32M107VCT6单片机与ESP8266WIFI电路连接,并通过ESP8266WIFI电路接受无线信号,所述STM32M107VCT6单片机与CH340G通信电路连接,并通过CH340G通信电路反馈信号,所述SPI-FLASH存储电路与STM32M107VCT6单片机连接,STM32M107VCT6单片机预读数据存储在SPI-FLASH存储电路中。

在上述技术方案基础上,所述电源电路的24V电压2输入端接电阻NTC,电阻NTC经电容接地,电阻NTC经二极管D1接电感L1,电感L1经电容C6接地,电感L1经电容C2接地,电感L1经二极管D3接地,同时电感L1接芯片IC1的VIN端口,芯片IC1的ON/OFF端口、GND端口及PAD端口接地,芯片IC1的FB端口经电容C7接地,芯片IC1的FB端口经电容C3接地,芯片IC1的FB端口经电感L4接OUT端口,芯片IC1的FB端口接电源电路的DC5V输出端,同时芯片IC1的FB端口经电感L2接二极管D2,二极管D2接电源电路的VDD5V输出端口,二极管D2经电容C5接电容C4,芯片IC1的OUT端口经二极管D6接地,电源电路的1端口经电阻MOV接地,同时电阻MOV经电容C4接二极管D5,二极管D5经电阻R4接电源电路的VDD5V输出端口。

在上述技术方案基础上,所述STM32M107VCT6单片机的VSSA端口接地,STM32M107VCT6单片机的VDDA端口同时与ESP8266WIFI电路的电阻R30和电阻R32连接,STM32M107VCT6单片机的VREF-端口经电阻R22接地,STM32M107VCT6单片机的的VREF+端口经电阻R23接SPI-FLASH-E2ROM存储电路中存储芯片的VCC端口和HOLD端口,STM32M107VCT6单片机的VBAT端口经电容C26接地,STM32M107VCT6单片机的VBAT端口经二极管D11接SPI-FLASH-E2ROM存储电路中存储芯片的WP端口,STM32M107VCT6单片机的VBAT端口经二极管D13接电池E的正极,电池E负极接地,同时STM32M107VCT6单片机的VBAT端口经电容C26接地,STM32M107VCT6单片机的NRST端口经电容C27接地,STM32M107VCT6单片机的NRST端口经开关S1接地,STM32M107VCT6单片机的NRST端口经电阻R25接CH340G通信电路中晶体管Q3的发射极。

在上述技术方案基础上,所述ESP8266WIFI电路中WIFI控制芯片ESP8266的GND端口接地,WIFI控制芯片ESP8266的GPIO0端口经电阻R33接地,WIFI控制芯片ESP8266的TXD端口接电阻36,WIFI控制芯片ESP8266的RXD端口接电阻R37,。

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