[实用新型]微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构有效
| 申请号： | 201720105344.8 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN207074987U | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 何涛 | 申请（专利权）人： | 成都杰联祺业电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32;H03F1/56;H03F3/189 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波集成电路 中的 低噪声放大器 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，其特征在于包括电阻R1、电阻R2、电容Cin、电容Cout、电感L1、电感L2、电感L3、晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3，所述电阻R1一端与电源电压连接，所述R1另一端与晶体管Q3漏极连接，所述晶体管Q3栅极再与所述电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端再与电容Cin和所述电感L3连接，所述电感L3再与所述晶体管Q1栅极连接，所述晶体管Q1源极与所述电感L2连接，所述晶体管Q1漏极与所述晶体管Q2漏极连接，所述晶体管Q2与电源电压连接，所述晶体管Q2源极再分别与电感L1和电容Cout连接，所述电感L1还与电源电压连接。
2.根据权利要求1所述的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，其特征在于还包括电容C1，所述电容C1与所述电感L1并联。
3.根据权利要求1所述的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，其特征在于所述晶体管Q1为场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，其特征在于所述晶体管Q2为场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，其特征在于所述晶体管Q3为场效应晶体管。
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