[实用新型]版图结构以及半导体结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种版图结构以及半导体结构。

背景技术

IOT(Internet Of Things，物联网)被广泛的应用于智能穿戴，消费电子、主流家电、家庭安全和自动化系统。IOT的应用均将芯片的功耗低和芯片小面积作为重点诉求。

但当把电阻上的功耗从mA级别降低到nA级别时，需要把芯片中电阻的阻值提高10倍，然而按照现有的版图设计规则，把电阻的阻值提高10倍时芯片的面积也增加了5倍。并且，为了保证良率，必须在栅极(poly)电阻中设计专门的区域，以插入一些虚拟有源区(AA dummy)，然而，这样会使芯片的整体面积进一步变大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种版图结构以及半导体结构，有利于减小芯片的面积。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种版图结构，包括：多个深阱区、多个第一掺杂区、有源区和多个栅极区，所述深阱区为第一掺杂类型，所述第一掺杂区为第二掺杂类型；

所述第一掺杂区在第一方向延伸，所述深阱区在第二方向延伸，多个所述第一掺杂区和多个所述深阱区相互垂直排列，每个所述第一掺杂区中具有至少一所述栅极区，所述栅极区在第一方向延伸；以及

位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区中设置有所述有源区；和/或，位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间设置有所述有源区。

可选的，在所述版图结构中，位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区中设置有所述有源区，所述版图结构还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区内，并且，位于两个相邻所述第一掺杂区之间所述有源区位于所述第二掺杂区内，所述第二掺杂区为第一掺杂类型。

可选的，在所述版图结构中，所述版图结构还包括第一通孔区，位于两个相邻所述第一掺杂区之间所述有源区中设置有至少一所述第一通孔区。

可选的，在所述版图结构中，位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间设置有所述有源区，所述版图结构还包括虚拟第一掺杂区，所述虚拟第一掺杂区位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间，位于两个相邻所述深阱区之间的所述有源区位于所述虚拟第一掺杂区中。

可选的，在所述版图结构中，所述版图结构还包括第二通孔区，每个所述深阱区在第二方向的两端各具有至少一个所述第二通孔区。

可选的，在所述版图结构中，所述版图结构还包括第三通孔区，每个所述栅极区在第一方向的两端各具有至少一个所述第三通孔区。

可选的，在所述版图结构中，所述栅极区均横跨所有的所述深阱区。

根据本实用新型的另一面，还提供一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底中具有多个深阱区、多个第一掺杂区和有源区，所述深阱区为第一掺杂类型，所述第一掺杂区为第二掺杂类型，所述第一掺杂区在第一方向延伸，所述深阱区在第二方向延伸，多个所述第一掺杂区和多个所述深阱区相互垂直排列，位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区中设置有所述有源区；和/或，位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间的衬底中设置有所述有源区；

栅极，每个所述第一掺杂区上具有至少一所述栅极，所述栅极在第一方向延伸。

可选的，在所述半导体结构中，位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区中设置有所述有源区，所述衬底还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区内，并且，位于两个相邻所述第一掺杂区之间所述有源区位于所述第二掺杂区内，所述第二掺杂区为第一掺杂类型。

可选的，在所述半导体结构中，位于两个相邻所述第一掺杂区之间所述有源区上设置有至少一第一通孔。

可选的，在所述半导体结构中，位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间的衬底中设置有所述有源区，所述衬底还包括虚拟第一掺杂区，所述虚拟第一掺杂区位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间的衬底中，位于两个相邻所述深阱区之间的所述有源区位于所述虚拟第一掺杂区中。

可选的，在所述半导体结构中，所述半导体结构还包括第二通孔，每个所述深阱区在第二方向的两端各具有至少一个所述第二通孔。

可选的，在所述半导体结构中，所述版图结构还包括第三通孔，每个所述栅极区在第一方向的两端各具有至少一个所述第三通孔。

可选的，在所述半导体结构中，所述栅极区均横跨所有的所述深阱区。