[实用新型]单向低电容TVS器件

权利要求书

1.一种单向低电容TVS器件，其特征在于，所述单向低电容TVS器件包括：

第一导电类型衬底；

第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；

第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；

第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层形成于所述第一导电类型外延层上；

多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括：第一区域、第二区域、第三区域及第四区域；

第一导电类型隔离，所述第一导电类型隔离形成于所述第一区域中，所述第一导电类型隔离延伸至所述第一导电类型外延层；

第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区形成于所述第一区域、第二区域、第三区域及第四区域中；

第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于第二区域及第三区域中。

2.如权利要求1所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述单向低电容TVS器件还包括：第一金属线，所述第一金属线连接所述第一区域中的第二导电类型注入区和所述第二区域中的第二导电类型注入区；第二金属线，所述第二金属线连接所述第二区域中的第一导电类型注入区和所述第三区域中的第二导电类型注入区；第三金属线，所述第三金属线连接所述第三区域中的第一导电类型注入区和所述第四区域中的第二导电类型注入区；其中，所述第三金属线与第一电源连接，所述第一导电类型衬底与地连接。

3.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述多个区域还包括第五区域，所述第二导电类型注入区还形成于所述第五区域中，所述第一导电类型注入区还形成于所述第五区域中；所述第二金属线连接所述第二区域 中的第一导电类型注入区和所述第五区域中的第二导电类型注入区，以及所述第二金属线连接所述第五区域中的第一导电类型注入区和所述第三区域中的第二导电类型注入区。

4.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述多个区域还包括第六区域、第七区域及第八区域；

所述第二导电类型注入区还形成于所述第六区域、第七区域及第八区域中；

所述第一导电类型注入区还形成于所述第六区域及所述第七区域中；

第四金属线，所述第四金属线连接所述第一区域中的第二导电类型注入区和所述第六区域中的第二导电类型注入区；第五金属线，所述第五金属线连接所述第六区域中的第一导电类型注入区和所述第七区域中的第二导电类型注入区；第六金属线，所述第六金属线连接所述第七区域中的第一导电类型注入区和所述第八区域中的第二导电类型注入区；其中，所述第六金属线与第二电源连接。

5.如权利要求1～4中任一项所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

6.如权利要求5所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底为重掺杂结构，所述第一导电类型外延层为轻掺杂结构，所述第二导电类型埋层为重掺杂结构，所述第二导电类型外延层为轻掺杂结构，所述第一导电类型隔离为重掺杂结构，所述第二导电类型注入区为重掺杂结构，所述第一导电类型注入区为重掺杂结构。

7.如权利要求5所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底的电阻率为0.005Ω.cm～0.008Ω.cm。

8.如权利要求5所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层的电阻率为2.0Ω.cm～4.0Ω.cm。

9.如权利要求5所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第二导电类型外延层的电阻率为25Ω.cm～35Ω.cm。

10.如权利要求2～4中任一项所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一区域中的第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离构成稳压二极管；所述第二区域的第一导电类型注入区与所述第二区域的第二导电类型外延 层构成了第二普通二极管；所述第三区域的第一导电类型注入区与所述第三区域的第二导电类型外延层构成了第一普通二极管；所述第四区域的第二导电类型外延层与所述第一导电类型外延层构成第三普通二极管。