[实用新型]内部埋置无源元件的微波组件基板结构

权利要求书

1.一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构，其特征在于包括低温共烧玻璃陶瓷基层(1)、Ag-Pd系厚膜导体层(2)、BaTiO₃系厚膜电容(3)、RuO₂系厚膜电阻(4)和Ag-Pd系厚膜导体电感(5)，所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)嵌入两所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)之间，所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)至少为三层，同层的所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)之间存在间隔(6)，所述间隔(6)处通过设置Ag-Pd系厚膜导体层(2)将上下层级的Ag-Pd系厚膜导体层(2)联通，所述BaTiO₃系厚膜电容(3)、RuO₂系厚膜电阻(4)和Ag-Pd系厚膜导体电感(5)分别嵌入所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)内。

2.根据权利要求1所述的内部埋置无源元件的微波组件基板结构，其特征在于所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)为4层，所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)为5层。

3.根据权利要求2所述的内部埋置无源元件的微波组件基板结构，其特征在于所述Ag-Pd系厚膜导体电感(5)设置于从上至下的第二所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)内。

4.根据权利要求2所述的内部埋置无源元件的微波组件基板结构，其特征在于所述RuO₂系厚膜电阻(4)设置于从上至下的第三或第四所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)内。

5.根据权利要求2所述的内部埋置无源元件的微波组件基板结构，其特征在于所述BaTiO₃系厚膜电容(3)设置于从上至下的第三所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)内。

6.根据权利要求1所述的内部埋置无源元件的微波组件基板结构，其特征在于所述BaTiO₃系厚膜电容(3)的设置方式为：所述Ag-Pd系厚膜导体层(2)分别搭接在所述BaTiO₃系厚膜电容(3)的顶部和底部。