[实用新型]单向低电容TVS器件有效
| 申请号： | 201720103980.7 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN206471337U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张常军;邓晓虎 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单向 电容 tvs 器件 | ||
1.一种单向低电容TVS器件，其特征在于，所述单向低电容TVS器件包括：
第一支路，所述第一支路一端接第一电源、另一端接地，所述第一支路包括至少两个第一普通二极管及一个稳压二极管串联而成；
第二支路，所述第二支路一端接第一电源、另一端接地，所述第二支路包括至少一个第二普通二极管串联而成；
所述第一支路与所述第二支路并联。
2.如权利要求1所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述单向低电容TVS器件还包括：
第三支路，所述第三支路一端接第二电源、另一端接地，所述第三支路包括至少两个第一普通二极管及一个稳压二极管串联而成；
第四支路，所述第四支路一端接第二电源、另一端接地，所述第四支路包括至少一个第二普通二极管串联而成；
所述第三支路与所述第四支路并联。
3.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，当所述第一电源加正电位，所述地加负电位时，所述第一电源对所述地的反向击穿电压为：VBR＝2*Vf10+V14，其中，VBR为所述第一电源对所述地的反向击穿电压，Vf10为所述第一普通二极管的压降，V14为所述稳压二极管的电压。
4.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，当所述第一电源加负电位，所述地加正电位时，所述第一电源对所述地的正向压降为：Vf＝Vf12，其中，Vf为所述第一电源对所述地的正向压降，Vf12为所述第二普通二极管的压降。
5.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一电源对地的电容为0.15pF～0.25pF。
6.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一电源对地的正向ESD和反向ESD均为8kV～9kV。
7.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，当所述第二电源加正电位，所述地加负电位时，所述第二电源对所述地的反向击穿电压为：VBR＝2*Vf10+V14，其中，VBR为所述第二电源对所述地的反向击穿电压，Vf10为所述第一普通二极管的压降，V14为所述稳压二极管的电压。
8.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，当所述第二电源加负电位，所述地加正电位时，所述第二电源对所述地的正向压降为：Vf＝Vf12，其中，Vf为所述第二电源对所述地的正向压降，Vf12为所述第二普通二极管的压降。
9.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第二电源对地的电容为0.15pF～0.25pF。
10.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第二电源对地的正向ESD和反向ESD均为8kV～9kV。
11.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一普通二极管和所述第二普通二极管的电容值均小于0.5pF。
12.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述稳压二极管的击穿电压为3.3V～7.0V。
13.如权利要求1或2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，在所述第一支路中，所述第一普通二极管至多三个；在所述第二支路中，所述第二普通二极管至多三个。
14.如权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，在所述第三支路中，所述第一普通二极管至多三个；在所述第四支路中，所述第二普通二极管至多三个。
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