[实用新型]具有PWM和DIM调光的非隔离LED调光电路有效

专利信息
申请号: 201720103348.2 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN206559682U 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 吴建良;顾南昌;吴洁 申请(专利权)人: 无锡恒芯微科技有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260 代理人: 张欢勇
地址: 214000 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 具有 pwm dim 调光 隔离 led 电路
【权利要求书】:

1.一种具有PWM和DIM调光的非隔离LED调光电路,包括LED照明电路和调光电路;所述照明电路包括LED灯管,灯管还连接由电阻、电容和电感组成的LC振荡电路;所述调光电路包括高压转低压模块、退磁时间检测模块、开关控制模块、峰值检测模块以及调光信号输入端;所述调光信号输入端用于输入直流信号和PWM信号;所述高压转低压模块连接LED照明电路的LED灯管和电感之间的节点,输出供外部设备或控制器使用的工作电压;所述开关控制模块包括若干组控制通道,每个通道连接一个调光信号输入端和一个高压MOS管的栅极,该高压MOS管的漏极连接一路照明电路,在高压MOS管关闭时,电感进行退磁放电;所述退磁时间检测模块检测照明电路的电感退磁时间,且根据输入的直流信号调整高压MOS管的关闭时间从而调整退磁时间;所述峰值检测模块用于检测高压MOS管的源极电压,根据检测到的源极电压通过开关控制模块控制高压MOS管的关闭从而调整LED调光电路中电感放电的峰值;所述开关控制模块根据输入的PWM信号、退磁时间检测模块的输出信号以及峰值检测模块的信号控制高压MOS管的栅极。

2.根据权利要求1所述的具有PWM和DIM调光的非隔离LED调光电路,其特征在于:所述峰值检测模块包括峰值检测比较器,峰值检测比较器的一端连接高压MOS管的源极,输入基电压,当高压MOS管的源极电压达到基准电压时,峰值检测比较器输出控制信号给开关控制模块关闭高压MOS管。

3.根据权利要求1所述的具有PWM和DIM调光的非隔离LED调光电路,其特征在于:所述高压转低压模块的输出端还连接5V电压产生模块,5V电压产生模块设有端口用于连接MCU控制系统。

4.根据权利要求1所述的具有PWM和DIM调光的非隔离LED调光电路,其特征在于:高压转低压模块包括高压JFET,高压JFET的源极连接MOS管M2的漏极,还通过一个电阻连接MOS管M1的漏极,MOS管M2和MOS管M1的栅极相连接,且MOS管M2的漏极和栅极相连接,MOS管M2的源极输出供外部设备使用的直流电压,MOS管M2连接的源极连接迟滞比较器,迟滞比较器输入基准电压,迟滞比较器再连接控制电路调控MOS管M2的栅极。

5.根据权利要求4所述的具有PWM和DIM调光的非隔离LED调光电路,其特征在于:所述退磁时间检测模块包括一个放大器、逻辑控制模块和电容,放大器的输入端连接高压MOS管的栅极,放大器连接逻辑控制模块产生控制信号,控制信号控制对电容充电的电流大小,产生时间控制信号控制高压MOS管栅极的关闭时间。

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