[实用新型]半导体处理腔室部件组件

说明书

技术领域

本文所描述的实施方式总体涉及一种具有耐等离子体密封件的基板处理腔室部件组件。

背景技术

在半导体工业中，器件通过许多制造工艺制造，所述制造工艺生产尺寸不断地减小的结构。一些制造工艺可能产生颗粒，所述颗粒经常污染正处理的基板，从而助长了器件缺陷。随着器件几何形状缩小，缺陷的易发性增大，并且颗粒污染要求变得更加严格。因此，随着器件几何形状缩小，颗粒污染的可允许水平可被降低。

另外，为了维持半导体处理系统内的真空水平，在各种位置处使用密封件。常规密封件材料通常不是高度耐腐蚀的，并且因此，如果暴露于具有充足能量的直接或远程等离子体，就会具有快速腐蚀趋势。这导致了颗粒生成，颗粒生成又导致了缺陷以及高水平的污染，并且最终导致失效的真空密封件。

对于更敏感半导体应用，诸如蚀刻，由于腐蚀性气体和高能等离子体的存在，在腔室内存在腐蚀条件。这种环境进一步限制了与处理腔室一起使用的密封件的寿命。

因此，需要用于在基板处理系统中使用的改进的密封件。

实用新型内容

本文所公开的实施方式总体涉及一种半导体处理腔室部件组件。在一个实施方式中，半导体处理腔室部件组件包括第一半导体处理腔室部件、第二半导体处理部件和密封构件。密封构件具有基本上由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)形成的主体。密封构件在第一半导体处理腔室部件和第二半导体处理腔室部件之间提供密封。主体包括第一表面、第二表面、第一密封表面和第二密封表面。第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域。第二表面与第一表面相对。第一密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第一密封表面接触第一半导体处理腔室部件。第二密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第二密封表面接触第二半导体处理腔室部件。

在另一实施方式中，本文中公开了一种半导体处理腔室部件组件。该半导体处理腔室部件组件包括静电卡盘、冷却基座和密封构件。密封构件具有基本上由聚四氟乙烯 (PTFE)形成的主体。密封构件在静电卡盘和冷却基座之间提供密封。主体包括第一表面、第二表面、第一密封表面和第二密封表面。第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域。第二表面与第一表面相对。第一密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第一密封表面接触静电卡盘。第二密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第二密封表面接触冷却基座。

附图说明

因此，为了能够详细理解本实用新型的上述特征所用方式，上文所简要概述的本实用新型的更具体的描述可以参考各个实施方式进行，所述实施方式中的一些示出于附图中。然而，应当注意，附图仅例示了本实用新型的典型实施方式，并且因此不被视为对本实用新型的范围的限制，因为本实用新型可承认其他同等有效实施方式。

图1是根据一个实施方式的例示具有一个或多个密封构件的处理腔室的剖面侧视图。

图2是根据一个实施方式的图1的密封构件的放大视图。

图3是根据一个实施方式的定位在第一处理腔室部件和第二处理腔室部件之间的图 2的密封构件的放大视图。

图4是根据一个实施方式的图1的密封构件的放大视图。

图5是根据一个实施方式的图1的密封构件的放大视图。

为了清楚起见，在适用时，使用相同附图标记来标示附图之间共有的相同元素。另外，一个实施方式中的元素可有利地适于在本文所述其他实施方式中使用。

具体实施方式

图1是根据一个实施方式的示出具有密封构件150的处理腔室的剖面侧视图。如图所示，处理腔室100是能够蚀刻基板的蚀刻腔室。可适于受益于本实用新型的处理腔室的示例是处理腔室、处理腔室和Mesa^TM处理腔室，这些处理腔室可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc,located in Santa Clara, California)购得。可以预期，其他处理腔室(包括来自其他制造商的那些)可适于受益于本实用新型。