[实用新型]一种光发射模块有效

专利信息
申请号: 201720096481.X 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN206442378U 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 罗建洪;蔡昭宏;王迪 申请(专利权)人: 宁波环球广电科技有限公司
主分类号: H04B10/50 分类号: H04B10/50;H04B10/075;G02B6/42
代理公司: 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 代理人: 徐亚芬
地址: 315176 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 模块
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及光纤通信技术领域,更确切地说涉及一种光发射模块。

背景技术

在高速光电传输系统中,光信号收发器中的光发射模块至关重要,特别是针对25G以上的高速激光器。在这种光发射模块中,激光器芯片(LD Chip)与激光器驱动芯片(LDD)之间的连接线的长度会严重影响信号传输的品质,因此,激光器芯片与激光器驱动芯片之间的距离越短,信号传输的质量就越好,同时还需要把激光器封装做到最小,以及对于激光器芯片的发射光强做精确的监控。监控探测器用于检测激光器芯片发射的光信号。现有技术的光发射模块设于激光器芯片的后端,激光器芯片的前端用于发射激光,激光器芯片的后端会漏出少量的光,监控探测器用来感应激光器芯片后端发出的光,从而可以对激光器进行监控。此种现有技术的光发射模块存在以下缺陷:由于该光发射模块的监控探测器放置在激光器芯片的后端,接收激光器芯片背面的光,所以,高低温会有很大的误差,同时由于不同激光器的前后分光比不同,所以,监控电流的分布也很广,无法对激光器芯片进行精确的监控。此外,此种现有技术的光发射模块的监控探测器与基体两者是相互独立的元件,此种光发射模块叠加的元件较多,制作工艺复杂,直通率比较低。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是,提供一种光发射模块,该光发射模块能对激光器芯片进行精确的监控,而且制作工艺简单,直通率高。

本实用新型的技术解决方案是,提供一种具有以下结构的光发射模块,包括基体、激光器芯片及监控探测器,所述的激光器芯片设于所述的基体的上表面上;所述的监控探测器集成在所述的基体上且该监控探测器的光接收区域露置在所述的基体的上表面上,所述的光接收区域位于所述的激光器芯片的前方的下侧。

采用以上结构后,本实用新型的光发射模块,与现有技术相比,具有以下优点:

由于本实用新型的光发射模块的监控探测器设于所述的激光器芯片的前侧,接收部分激光器芯片正面发出的光,直接监测激光器芯片正面发出的光,可以对激光器芯片进行精确的监控。此外,将监控探测器与基体集成在一起,使得元件较少,制作工艺较简单,直通率高。

作为改进,所述的基体为硅基底,所述的光接收区域为锗材料,所述的光接收区域由硅基底生长锗制作而成。采用此种结构后,采用硅技术生长的锗制作监控探测器成本较低,而且位置精准。

作为改进,所述的光接收区域的光接收面积不大于150um。采用此种结构后,在保证监测效果的前提下,可有效控制激光器芯片的成本。

作为改进,所述的激光器芯片射到所述的光接收区域上的光的发射角度a为大于等于50°且小于等于70°。采用此种结构后,使得监控探测器在不影响正常光路传输的情况下,能接收到最大的光。

附图说明

图1是现有技术的光发射模块的使用状态示意图。

图2是本实用新型的光发射模块的使用状态示意图。

图3是本实用新型的光发射模块的立体结构示意图。

图中所示:1、基体,2、激光器驱动芯片,3、激光器芯片,4、监控探测器,6、透镜,7、隔离器,8、光钎,a、激光器芯片射到所述的光接收区域上的光的发射角度。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

图1为现有技术的光发射模块的结构示意图,如图所示:基体1上设有监控探测器4、激光器芯片3以及激光器驱动芯片2,监控探测器4被放置在激光器芯片3的正后方,为了避免监控探测器4的光接收面接收到的光反射回激光器芯片3中,采用监控探测器4接收面与激光器芯片3发射的光轴成一定角度。为了使得激光器芯片3和激光器驱动芯片2之间的距离较近,将激光器芯片3和监控探测器4设置在激光器驱动芯片2的侧方,使得激光器芯片3靠近激光器驱动芯片2。此种光发射模块的监控探测器4放置在激光器芯片3的后端,接收激光器芯片3背面的光,所以,高低温会有很大的误差,而且激光器的前后分光比不同,信号又是激光器前端发送,因此,此光发射模块无法对激光器芯片3进行精确的监控。

图2为本实用新型的光发射模块的结构示意图,如图所示:本实用新型的光发射模块包括基体1、激光器芯片3及监控探测器4,所述的激光器芯片3设于所述的基体1的上表面上;所述的监控探测器4集成在所述的基体1上且该监控探测器4的光接收区域4.1露置在所述的基体1的上表面上,所述的光接收区域4.1位于所述的激光器芯片3的前方的下侧。

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