[实用新型]N型双面电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及N型电池技术领域，特别是涉及N型双面电池。

背景技术

N型硅材料具有以下的优点：

（1） N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片的高，达到毫秒级。

（2）N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片，Fe 、Cr、 Co、W、 Cu、 Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片大。

（3） N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。

但是其在使用时，金属区域和掺杂区域存在着严重的复合，降低电池的发电能力。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种N型双面电池，解决了现有技术中存在的问题。在N型双面电池中制约效率的主要因素是金属区域和掺杂区域带来的复合，本实用新型采用在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，减少掺杂区域的面积来减少掺杂区域的复合。

本实用新型所采用的技术方案是：N型双面电池，包括N型基体，N型基体，一侧依次设置有的重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极，另一侧依次设置有背面钝化减反膜和背面电极，并且背面电极与N型基体连接的位置处设有局部掺杂背表面场；其中：

正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射极形成欧姆接触；背面电极穿过背面钝化减反膜与局部掺杂背表面场形成欧姆接触。

进一步地，局部掺杂背表面场由若干个直线形或线段形或者圆形或不规则形背表面场单元排列而成，背表面场单元上形成局部接触电极后，由若干连接栅线连接，若干连接栅线之间再通过若干主栅线连接汇流；并且连接栅线和主栅线均不与局部掺杂区域形成欧姆接触。

进一步地，局部接触电极为直线或线段时，宽度为10-100μm；为圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。

进一步地，局部掺杂背表面场的直线或线段宽度为80微米-600微米，圆点直径为200微米-600微米，背面局部掺杂区域占电池背面面积的4%-30%。

进一步地，局部掺杂背表面场的方阻为10-70ohm/sq。

进一步地，重掺杂发射极区域由若干个直线形或线段形或者圆形发射极单元排列而成，每一个发射单元的宽度或者直径为微米80-300微米，重掺杂区域的面积占正表面面积的4%-30%。

进一步地，重掺杂发射极单元上形成局部接触电极后，若干局部接触电极之间通过若干连接栅线连接，若干连接栅线之间通过一系列主栅线汇流，并且连接栅线、主栅线不与重掺杂发射极和轻掺杂发射极形成欧姆接触。

进一步地，重掺杂发射极上局部接触电极为直线形或线段形时，其宽度为10-100μm；圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。

进一步地，轻掺杂发射极的方阻为90-250ohm/sq。

进一步地，重掺杂发射极的方阻为10-50ohm/sq。

进一步地，正面钝化减反膜为SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，并且其厚度为50-90nm。

进一步地，背面钝化减反膜为SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，并且其厚度为50-90nm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的 一种N型双面电池。本实用新型采用在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，金属区域的复合与表面掺杂浓度成反比,与接触面积成正比。掺杂区域的表面复合速率要高于未掺杂区域，减少掺杂区域降低掺杂区域的复合，从而大大减少了电池的复合，最终提高电池的发电效率。

附图说明

图1为N型双面电池侧面的结构图；

图2为N型双面电池的重掺杂发射极区域的发射单元为直线形的实施例的正面结构图；

图3为N型双面电池的重掺杂发射极区域的发射单元为线段形的正面结构图；

图4为N型双面电池的重掺杂发射极区域的发射单元为圆形的正面结构图；