[实用新型]用于制备石墨烯的装置有效

专利信息
申请号: 201720073465.9 申请日: 2017-01-19
公开(公告)号: CN206447577U 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 毛方会;张樱;吕伟 申请(专利权)人: 广东烛光新能源科技有限公司
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 广东德而赛律师事务所44322 代理人: 叶秀进
地址: 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 石墨 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于石墨烯制备技术领域,特别涉及一种用于制备石墨烯的装置。

背景技术

2004年,英国曼彻斯特大学的安德烈•K•海姆(Andre K.Geim) 等采用机械剥离法首次制备得到石墨烯(Graphene),由此拉开了该材料制备、运用研究的序幕。所谓石墨烯,是指碳原子之间呈六角环形排列的一种片状体,通常由单层或多层石墨片层构成,可在二维空间无限延伸,可以说是严格意义上的二维结构材料。其具有比表面积大、导电导热性能优良、热膨胀系数低等突出优点。具体而言,其优势至少包括:高的比表面积(理论计算值:2630m2/g);高导电性、载流子传输率 (200000cm2/V•s);高热导率 (5000W/mK);高强度,高杨氏模量(1100GPa),断裂强度 (125GPa)。因此其在储能领域、热传导领域以及高强材料领域具有极大的运用前景。

现有的制备石墨烯的方法主要有微机械剥离法、超高真空石墨烯外延生长法、氧化-还原法、化学气相沉积法(CVD)、溶剂剥离法、电解法和溶剂热法。在这一系列方法中,氧化-还原法是目前最大批量制备石墨烯的方法中运用最广泛的方法。

然而,采用氧化还原法制备石墨烯时,在还原阶段,为了充分的剥离氧化石墨烯片层、并将片层上的含氧官能团去除,往往在反应过程中,需要施加高温、高真空的气氛,高温高真空时,需要的设备结构较为复杂,而且成本较高,同时反应过程中的生产成本也相对较高,从而使得该方法制备石墨烯的成本较高,限制了石墨烯更广泛的使用。

有鉴于此,确有必要开发一种新的用于制备石墨烯的装置,该装置结构简单,制造成本低,而且能够得到性能优良的石墨烯。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:针对现有技术的不足,而提供的一种新的用于制备石墨烯的装置,该装置结构简单,制造成本低,而且能够得到性能优良的石墨烯。

为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

用于制备石墨烯的装置,包括支架、炉体和设置于所述炉体内的炉管,所述炉体设置于所述支架上,所述炉管至少包括第一管道和第二管道,所述第一管道的等效管半径小于所述第二管道的等效管半径,所述第一管道内设置有阀门,所述第一管道的外壁与所述炉体之间设置有第一加热组件,所述第二管道的外壁与所述炉体设置有第二加热组件,并且所述第二管道内的温度大于所述第一管道内的温度。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述阀门连接有阀门开关,并且所述阀门开关伸出于所述炉体之外。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第一管道位于所述第二管道的上方。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第二管道的靠近所述支架的一侧设置有密封件。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第一加热组件和所述第二加热组件均设置为加热丝。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第一管道通过第一连接管连接有压缩机,并且所述第一连接管上设置有第一开关。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第二管道通过第二连接管连接有真空泵,所述第二连接管上设置有第二开关。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第一管道通过第一连接管连接有压缩机,并且所述第一连接管上设置有第一开关;所述第二管道通过第二连接管连接有真空泵,所述第二连接管上设置有第二开关。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第一加热组件和所述第二加热组件均与温控箱连接。

作为本实用新型用于制备石墨烯的装置的一种改进,所述第一管道和所述第二管道均连接有惰性气体。

使用时,将氧化石墨从第一管道的远离第二管道的一端加入第一管道内,加热,使得氧化石墨升温,然后打开阀门,使得氧化石墨进入第二管道;由于第二管道的等效管半径大于第一管道的等效管半径,即炉管的直径瞬间变大,且第二管道内的温度大于第一管道内的温度,使得氧化石墨在进入第二管道瞬间形成负压,且氧化石墨在第二管道中充分流动,与管壁充分接触,受热充分,膨化完全,得到性能优良的石墨烯粉体。

相对于现有技术,本实用新型的有益效果在于:

首先,通过管道结构设计,让氧化石墨在管道内流动的过程中自动产生负压环境,节省额外增加负压的成本,从而降低制备石墨烯的成本;其依据的原理为:

1)、理想气体的状态方程:pVm=RT,式中质量m、体积V、压力p、温度T;

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