[实用新型]一种显示器件结构有效
申请号: | 201720072075.X | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN206422067U | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 张婷婷 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 张杰 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种显示器件结构。
背景技术
在显示技术领域,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中,OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
经研究发现,现有的显示器件由于薄膜封装层中的无机层质地较脆,在进行边缘切割时其无机层容易产生裂缝,并延伸至屏体内部,从而造成器件的良率降低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于现有的显示器件在进行边缘切割时其薄膜封装层中无机层容易产生裂缝并延伸至屏体内部,从而提供一种显示器件结构。
本实用新型实施例提供了一种显示器件结构,包括:基板;器件层,设置在所述基板上,其中,所述器件层包括显示区域和边界区域,所述边界区域刻蚀有凹槽图案;薄膜封装层,覆盖所述器件层的显示区域,并覆盖所述边界区域的所述凹槽图案靠近所述显示区域的一部分。
可选地,所述凹槽图案刻蚀至所述基板。
可选地,所述薄膜封装层包括:无机层,覆盖所述器件层的显示区域,并覆盖所述凹槽图案靠近所述显示区域的一部分;有机层,覆盖所述无机层。
可选地,所述有机层仅覆盖所述器件层的显示区域上的无机层。
可选地,所述无机层为氮化硅无机层、氧化铝无机层、氧化硅无机层、氧化钛无机层中至少一种。
可选地,所述器件层包括:TFT器件层,设置在所述基板上;有机发光层,设置在所述显示区域的所述TFT器件层上。
可选地,所述基板与所述TFT器件层之间还设置有缓冲层。
可选地,所述边界区域为距离边界80-120μm的区域。
可选地,所述凹槽图案由凹槽阵列组成,所述凹槽阵列中各凹槽的横截面的形状包括以下至少之一:矩形、正方形、圆形、椭圆形、菱形。
根据本实用新型实施例,通过在器件层的边界区域形成凹槽图案,薄膜封装层覆盖该凹槽图案的一部分,其无机层与Array基板无机层搭接,有利于提高封装效果。同时由于该边界区域上刻蚀有凹槽图案,当从所述凹槽图案处进行切割时,受到凹槽的作用减少裂缝的产生,并且在产生裂缝之后由于受到凹槽阻拦,其裂缝不会向显示区域延伸。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例中显示器件结构的侧视截面图;
图2为本实用新型实施例中显示器件结构的俯视图;
图3为本实用新型实施例中一种可选的显示器件结构的侧视截面图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的