[实用新型]一种DFB半导体激光器有效
| 申请号： | 201720051772.7 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN206412634U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;苏辉;王凌华;陈阳华;林琦;林中晞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞,张祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 半导体激光器 | ||
1.一种DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器为包含多个激光器的单颗管芯，其中，每个激光器具有的脊型波导相互独立，所述管芯还包括金属覆盖区域，所述金属覆盖区域位于所述脊型波导的上表面，每个脊型波导由各自对应的激光器焊盘单独供电。
2.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述脊型波导位于所述管芯的中间位置。
3.根据权利要求2所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述脊型波导包括：InP光栅覆盖层、P-InP过渡层、P-InGaAsP过渡层和P-InGaAs重掺杂层。
4.根据权利要求2所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述多个激光器为四个激光器，所述脊型波导为四个脊型波导。
5.根据权利要求2所述的DFB半导体激光器，其特征在于，制备所述管芯的外延片采用波导和有源区结构。
6.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述外延片表面的光栅层上制备有均匀的部分光栅。
7.根据权利要求6所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述光栅远离管芯的出光端面和背光端面一段距离。
8.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述外延片包括：N-InP衬底、N-InP缓冲层、InAlGaAs下波导层、AlGaInAs多量子阱有源层、InAlGaAs上波导层、P-InP过渡层、P-InGaAsP过渡层、P-InP空间层、InGaAsP光栅层和InP保护层。
9.根据权利要求8所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述InAlGaAs下波导层和InAlGaAs上波导层为禁带宽度和折射率渐变的波导层。
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