[实用新型]可控硅散热器

说明书

技术领域

本实用新型涉及中频电源领域，尤其涉及可控硅中频电源领域。

背景技术

可控硅中频电源采用国际先进ISP工业模块控制，全数字化运算，硬软件可靠保护，功能更加齐全，适应于金属的熔炼、保温、透热、金属热处理、淬火、烧结等场合。负载由感应线圈和补偿电容器组成，连接成并联谐振电路。可控硅中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流-直流-交流变换器。可控硅静止变频器电路中由变压器将三相工频电源降压后，供给变频器，在变频器内首先经三相桥式半控全波整流后，再经电抗器滤波，获得直流电源，该直流电源经单相桥式逆变器变为频率可变的中频电源，供给感应炉。

传统的可控硅散热器，采用散热器平面中心点位置顶针和可控硅平面的中心的凹坑为定位标置，对准后用拉杆螺栓压紧。在生产过程中由于顶针直径只有1~2mm高0.5~1mm，压制时易发生中心偏离，造成散热面接触不好，影响散热效果，易损坏可控硅。如果维修需要更换可控硅时，要将部分连接铜排拆却，如散热器顶针磨损，则定位困难极易发生中心偏离，造成可控硅损坏，存在严重不足。

实用新型内容

为解决以上问题，本实用新型提供一种可控硅散热器，其特征在于包括圆柱形器体、2个圆柱外把；所述圆柱形器体的表面包括有与可控硅相匹配的内心凹槽，所述内心凹槽的直径与可控硅接触面的外部直径相同；所述内心凹槽在某一方向上的横截面呈圆形，且所述内心凹槽、所述器体在某一方向上的横截面呈2个同心圆；所述内心凹槽圆心处包括有一顶针；所述顶针与可控硅圆心处的凹坑相匹配。所述2个圆柱形外把位于所述器体的外侧表面。

较佳的，所述内心凹槽相对所述器体下凹0.4-0.7mm，若下凹距离小于0.4mm则凹槽壁太薄，不易固定可控硅，若凹槽壁太厚，则影响可控硅的散热效果。

较佳的，所述顶针的直径为1-2mm，高为0.5-1mm，选用常规顶针即可。

本实用新型提供的这种可控硅散热器，在对可控硅定位时，通过所述内心凹槽、顶针达到定位的目的。采用中间整体下沉0.4-0.7mm形成与可控硅硅型散热面直径相配合的内心凹槽，由于有所述内心凹槽，所述顶针不易磨损，按装或维修时只要将可控硅放入到所述内心凹槽内即能保证中心定位准确减少校准定位时间，提高了可靠性和工作效率。

附图说明

图1为可控硅散热器示意图。

具体实施方式

如图1所示的一种可控硅散热器，包括圆柱形器体1、2个圆柱外把2。

所述圆柱形器体1的表面包括有与可控硅相匹配的内心凹槽3，所述内心凹槽3的直径与可控硅接触面的外部直径相同。所述内心凹槽3在某一方向上的横截面呈圆形，且所述内心凹槽3、所述器体1在某一方向上的横截面呈2个同心圆。所述内心凹槽3圆心处包括有一顶针4，所述顶针4与可控硅圆心处的凹坑相匹配；所述2个圆柱形外把2位于所述器体的外侧表面。

所述内心凹槽3相对所述器体1下凹0.4-0.7mm。所述顶针4的直径为1-2mm，高为0.5-1mm，为常用规格。

使用时，直接将可控硅置于所述可控硅散热器中，通过所述顶针4与所述内心凹槽3达到限位的作用。

以上仅为本实用新型较佳的实施例，故不能依此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型说明书内容所作的等效变化与装饰，皆应属于本实用新型覆盖的范围内。