[实用新型]一种DFB半导体激光器有效
| 申请号： | 201720051403.8 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN206412633U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;苏辉;王凌华;陈阳华;林琦;林中晞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞,张祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 半导体激光器 | ||
1.一种DFB半导体激光器，其特征在于，包括：脊型波导激光器、光栅和探测器，其中，脊型波导激光器位于基片表面靠近出光端面的区域，光栅和探测器位于脊型波导激光器的腔外，光栅刻蚀到衬底层并靠近脊型波导激光器，探测器位于基片表面靠近背光端面的区域，并靠近光栅。
2.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述基片采用多量子阱外延结构。
3.根据权利要求2所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述基片包括N-InP衬底层、N-InP缓冲层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱有源层、AlGaInAs上波导层、P-InP间隔层、P-InGaAsP腐蚀停止层、P-InP空间层、P-InGaAsP过渡层、P+-InGaAs重掺杂欧姆接触层和P-InP保护层。
4.根据权利要求3所述的DFB半导体激光器，其特征在于，AlGaInAs上波导层与AlGaInAs下波导层为组分渐变的波导层。
5.根据权利要求3所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述脊型波导激光器的脊型波导结构包括P-InGaAsP腐蚀停止层、P-InP空间层、P-InGaAsP过渡层和P+-InGaAs重掺杂欧姆接触层。
6.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，脊型波导结构的脊深1.8μm，上下脊宽分别为2.0μm和1.8μm。
7.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述光栅为周期性均匀光栅。
8.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述光栅表面覆盖有BCB。
9.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于，还包括位于脊型波导激光器的脊型波导表面的激光器金属覆盖区域和位于探测器表面的探测器金属覆盖区域。
10.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器，其特征在于，出光端面蒸镀有一对Si/Al2O3高透膜；背光端面蒸发有两对Al2O3/Si高反膜。
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