[实用新型]低噪声放大器

权利要求书

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括放大器基本电路和旁路电路，所述放大器基本电路包括输入端电路和输出端电路；所述旁路电路包括旁路晶体管和旁路电容；所述旁路晶体管的源极与所述输入端电路电连接，所述旁路晶体管的漏极与所述旁路电容的一端电连接，所述旁路电容的另一端与所述输出端电路电连接，所述旁路晶体管的栅极上设有旁路控制电压，所述旁路控制电压用于控制所述旁路晶体管的开启与关闭。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入端电路包括信号输入端、输入端电感和输入端电容，所述输入端电感的一端接至所述信号输入端，所述输入端电感的另一端与所述输入端电容的一端电连接；所述输出端电路包括信号输出端、输出端电感和输出端电容，所述输出端电感的一端接入电源电压，所述输出端电感的另一端与所述输出端电容的一端电连接，所述输出端电容的另一端接至所述信号输出端。

3.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路晶体管的源极与所述输入端电感的另一端以及所述输入端电容的一端电连接。

4.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路晶体管的源极与所述输入端电容的另一端电连接。

5.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路电容的另一端、所述输出端电感的另一端以及所述输出端电容的一端电连接。

6.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路电容的另一端接至所述信号输出端。

7.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大器基本电路还包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和第一电感；所述第一电阻的一端接入第一控制电压，所述第一电阻的另一端、所述第一晶体管的栅极以及所述输入端电容的另一端电连接；所述第一电感的一端接地，所述第一电感的另一端与所述第一晶体管的源极电连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极电连接，所述第二晶体管的漏极、所述输出端电感的另一端、所述输出端电容的一端电连接；所述第二晶体管的栅极接入第二控制电压。

8.如权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS管，所述第二晶体管为NMOS管。

9.如权利要求1至8中任一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述旁路晶体管为NMOS管。