[实用新型]一种高可靠的带功能性保护接地断路器电路有效

专利信息
申请号: 201720039058.6 申请日: 2017-01-13
公开(公告)号: CN206340969U 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 杨奎;刘涛;王卫青;文杰 申请(专利权)人: 浙江夏兴电子科技股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H7/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325600 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 可靠 功能 保护 接地 断路器 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种高可靠的带功能性保护接地断路器电路。

背景技术

现有市场上的电子式漏电断路器一般都不带保护地,在使用过程中,如果断了零线,漏电断路器不会脱扣,但产品已失去漏电保护功能,在有人接触火线时,仍然会被触电。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高可靠的带功能性保护接地断路器电路,该电路在漏电断路器在失去零线时,产品还会起到漏电保护功能。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:

一种高可靠的带功能性保护接地断路器电路,其特征在于:

火线L和零线N之间连接压敏电阻RV1,在零线N和地线FE之间连接压敏电阻RV2;

火线L通过线圈KA分别与二极管D1的正极和二极管D4的负极连接,零线N分别与二极管D2的正极和二极管D5的负极连接,地线FE分别与二极管D3的正极和二极管D6的负极连接;

二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极分别与降压电路连接;

二极管D4、二极管D5、二极管D6的阳极分别与可控硅VT的阴极连接;

可控硅VT的阳极与降压电路连接,可控硅VT的栅极与剩余电流检测模块连接,可控硅VT的阳极与阴极之间连接压敏电阻RV3;

降压电路与剩余电流检测模块连接;

剩余电流检测模块接剩余电流互感器。

本实用新型还进一步设置为,二极管D4的阳极、二极管D5的阳极、二极管D6的阳极、可控硅VT的阴极分别接地。

本实用新型还进一步设置为,剩余电流检测模块接地。

本实用新型还进一步设置为,所述压敏电阻RV3也可替换用瞬态抑制二极管。

本实用新型的有益效果:在漏电断路器中引入地线FE,并与火线L和零线N一起组成全桥整流,经降压电路降压后给剩余电流检测模块供电,在线路出现断了零线N时,火线L和地线FE还是组成全桥整流电路,还能可靠的给剩余电流检测模块供电,使漏电断路器还可以起到漏电保护功能。

在火线L和零线N之间并压敏电阻RV1,在零线N和地线PE之间并压敏电阻RV2,在可控硅阳极和阴极之间并压敏电阻RV3,这样在有浪涌电压出现时,先由压敏电阻RV1和RV2对浪涌电压进行吸收,在可控硅VT两端再经过压敏电阻RV3进行吸收,可以确保可控硅不会因为浪涌电压过高而击穿,保证了产品有较高的抗浪涌能力。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。

以下参考图1对本实用新型进行说明。

一种高可靠的带功能性保护接地断路器电路,火线L和零线N之间连接压敏电阻RV1,在零线N和地线FE之间连接压敏电阻RV2;火线L通过线圈KA分别与二极管D1的正极和二极管D4的负极连接,零线N分别与二极管D2的正极和二极管D5的负极连接,地线FE分别与二极管D3的正极和二极管D6的负极连接;二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极分别与降压电路连接;二极管D4、二极管D5、二极管D6的阳极分别与可控硅VT的阴极连接;可控硅VT的阳极与降压电路连接,可控硅VT的栅极与剩余电流检测模块连接,可控硅VT的阳极与阴极之间连接压敏电阻RV3;降压电路与剩余电流检测模块连接;剩余电流检测模块接剩余电流互感器。二极管D4的阳极、二极管D5的阳极、二极管D6的阳极、可控硅VT的阴极分别接地。剩余电流检测模块接地。

压敏电阻RV3也可替换用瞬态抑制二极管。

本实用新型的有益效果:在漏电断路器中引入地线FE,并与火线L和零线N一起组成全桥整流,经降压电路降压后给剩余电流检测模块供电,在线路出现断了零线N时,火线L和地线FE还是组成全桥整流电路,还能可靠的给剩余电流检测模块供电,使漏电断路器还可以起到漏电保护功能。

在火线L和零线N之间并压敏电阻RV1,在零线N和地线PE之间并压敏电阻RV2,在可控硅阳极和阴极之间并压敏电阻RV3,这样在有浪涌电压出现时,先由压敏电阻RV1和RV2对浪涌电压进行吸收,在可控硅VT两端再经过压敏电阻RV3进行吸收,可以确保可控硅不会因为浪涌电压过高而击穿,保证了产品有较高的抗浪涌能力。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,上述假设的这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。

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