[实用新型]一种加热均匀的SiC生长坩埚平台有效
| 申请号： | 201720036352.1 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN206624951U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宋生;宗艳民;于国建;梁庆瑞;柏文文 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 加热 均匀 sic 生长 坩埚 平台 | ||
【权利要求书】：
1.一种加热均匀的SiC生长坩埚平台，其特征在于，包括长方体形石墨平台(2)，所述的长方体形石墨平台(2)上开设有坩埚槽(1)，且坩埚槽1凹陷在长方体形石墨平台(2)内部，开口与长方体形石墨平台(2)的上表面平齐；所述的坩埚槽(1)内铺设石墨毡(6)，且石墨毡(6)内部均匀分布有电阻丝(5)，电阻丝(5)的端部裸露在石墨毡(6)的外部，SiC生长坩埚(7)放置在坩埚槽(1)内部，其外表面与裸露的电阻丝端部相接。
2.如权利要求1所述的加热均匀的SiC生长坩埚平台，其特征在于，所述的石墨毡(6)外部设置有通电按钮(8)。
3.如权利要求1所述的加热均匀的SiC生长坩埚平台，其特征在于，所述的石墨平台放置在不锈钢底座(3)上，且不锈钢底座(3)上开设有散热孔(4)。
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