[实用新型]一种多功能充电式放大镜有效
申请号: | 201720035733.8 | 申请日: | 2017-01-12 |
公开(公告)号: | CN206400186U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 杨海燕 | 申请(专利权)人: | 蚌埠市舒杨电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B25/02 | 分类号: | G02B25/02;H02J7/00;H05B37/02 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司34102 | 代理人: | 王琪 |
地址: | 233000*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多功能 充电式 放大镜 | ||
技术领域
本实用新型涉及放大镜领域,具体是一种多功能充电式放大镜。
背景技术
目前市场上的放大镜功能相对单一,实用性差,操控不稳定,使用寿命短。而具有照明功能的放大镜大多采用的是一次性电池,容量低,更换电池也比较麻烦,且因电池容量的局限,照明亮度较低,不能满足使用人群对光线强度的和长时间使用的要求,且一次性电池长时间使用有漏液的情况,对产品自身和环境都造成污染,环保性差,且降低了放大镜产品的使用寿命。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种多功能充电式放大镜,采用快速充电管理,充放电保护的充电电池储能方式,通过对操控装置的轻触或者长按的触发信号经过微型单片机处理,由驱动电路来控制照明灯和紫外线灯的独立开关和亮度调整,操控简便,稳定可靠,大大延长了使用寿命;且具有放大显示查看、照明、紫外线验钞和观察紫外线敏感物体的功能,适宜不同使用人群的需求。
本实用新型的技术方案为:
一种多功能充电式放大镜,包括有壳体、放大镜片、操控装置、电路板、充电电池BT1、照明灯D3和紫外线灯D4,所述的壳体的顶部设置有放大镜安装孔,所述的放大镜片固定于放大镜安装孔内,所述的操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均设置于壳体上,所述的电路板和充电电池BT1均设置于壳体内,所述的充电电池BT1、操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均与电路板电连接,且所述的壳体上设置有与电路板连接的充电接口DC;
所述的电路板上设置有控制管理电路,充电接口电路,驱动电路,充电管理电路和充放电保护电路;
所述的控制管理电路包括有微型单片机IC4、电阻R5和电容C4,微型单片机IC4的引脚1连接电阻R6的一端,微型单片机IC4的引脚2通过电容C4接地,且微型单片机IC4的引脚2连接充电电池BT1的正极,微型单片机IC4的引脚3连接电阻R5的一端,微型单片机IC4的引脚4接地,微型单片机IC4的引脚5和引脚6分别与充电接口DC的引脚3和引脚2连接,微型单片机IC4的引脚7连接操控装置;
所述的充电接口电路包括有所述的充电接口DC和电容C1,充电接口DC的引脚1是电源适配器正极输入端,且通过电容C1接地,充电接口DC的引脚5接地;
所述的驱动电路包括有P沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11,P沟道MOS管Q1的栅极通过电阻R8后连同P沟道MOS管Q1的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q1的栅极连接控制管理电路中电阻R5的另一端,P沟道MOS管Q1的漏极通过电阻R9与照明灯D3的正极连接,照明灯D3的负极接地;所述的P沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R10后连同P沟道MOS管Q2的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q2的栅极连接控制管理电路中电阻R6的另一端,P沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R11与紫外线灯D4的正极连接,紫外线灯D4的负极接地;
所述的充电管理电路包括有充电管理芯片IC1、电阻R2和电容C2,所述的充电管理芯片IC1的引脚4与电接口DC的引脚1连接,电管理芯片IC1的引脚5通过电阻R2接地,电管理芯片IC1的引脚3通过电容C2接地,且电管理芯片IC1的引脚3与充电电池BT1的正极连接,电管理芯片IC1的引脚2直接接地;
所述的充放电保护电路包括有充电保护控制芯片IC2、充电保护导通芯片IC3、电阻R3、电阻R4和电容C3,充电保护导通芯片IC3内设置有两个N沟道MOS管,所述的充电保护控制芯片IC2的引脚5通过R3与充电电池BT1的正极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚5通过电容C3与充电保护控制芯片IC2的引脚6连接,且充电保护控制芯片IC2的引脚6直接与充电电池BT1的负极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚6与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的源极S1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚2通过电阻R4接地,充电保护控制芯片IC2的引脚1与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的栅极G1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚3与充电保护导通芯片IC3另一个N沟道MOS管的栅极G2接口连接,充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的漏极D1与另一个N沟道MOS管的漏极D2连接,充电保护导通芯片IC3另一个N沟道MOS管的源极接地。
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