[实用新型]基于BBO超快倍频的光子学器件有效
| 申请号： | 201720020025.7 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN206401709U | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张留洋;孙上傲 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109;G02F1/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 bbo 倍频 光子 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于BBO超快倍频的光子学器件，应用于非线性光倍频，其特征在于：它包括低温相偏硼酸钡（b-BaB2O4）晶体（1）、高温相偏硼酸钡（a-BaB2O4）晶体（2），其中低温相偏硼酸钡（b-BaB2O4）晶体与高温相偏硼酸钡（a-BaB2O4）晶体交替排列且在没有色散影响的范围内不限定两种晶体的对数。
2.根据权利要求1所述的一种基于BBO超快倍频的光子学器件，其特征在于：所述的低温相偏硼酸钡（b-BaB2O4）晶体（1）是由高温相偏硼酸钡（a-BaB2O4）晶体（2）经过聚焦超短飞秒脉冲或连续激光束照射形成的。
3.根据权利要求1所述的一种基于BBO超快倍频的光子学器件，其特征在于：所述的低温相偏硼酸钡（1）晶体的厚度为50mm。
4.据权利要求1所述的一种基于BBO超快倍频的光子学器件，其特征在于：对于耦合脉冲的波长为800nm，低温相偏硼酸钡（1）晶体与高温相偏硼酸钡（2）晶体的厚度满足比例为0.8177，群速度失配（GVM）为0。
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