[实用新型]高阻密栅多晶硅太阳能电池片有效
申请号: | 201720012854.0 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN206312904U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 范启超;徐兆远 | 申请(专利权)人: | 浙江晶能光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙)33265 | 代理人: | 蔡鼎 |
地址: | 314406 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高阻密栅 多晶 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于电池片技术领域,涉及一种电池片,特别是一种高阻密栅多晶硅太阳能电池片。
背景技术
能源是经济和社会发展的重要物质基础。工业革命以来,世界能源消费剧增,煤炭、石油、天然气等化石能源资源消耗迅速,生态环境不断恶化,特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化,人类社会的可持续发展受到严重威胁。目前,我国已成为世界能源生产和消费大国,但人均能源消费水平还很低,随着经济和社会的不断发展,我国能源需求将持续增长。增加能源供应、保障能源安全、保护生态环境、促进经济和社会的可持续发展,是我国经济和社会发展的一项重大战略任务。可再生能源是我国重要的能源资源,在满足能源需求、改善能源结构、减少环境污染、促进经济发展等方面已发挥了重要作用,太阳能以其清洁、安全、经济等显著优势,已经成为我国能源发展的重要方向。太阳能电池片就是将太阳能转化为电能的半导体器件。
经检索,如中国专利文献公开了一种高阻密栅新型高效的太阳能单晶硅电池片【申请号:201120496826.3;公开号:CN 202339923U】。这种高阻密栅新型高效的太阳能单晶硅电池片,其特征在于:所述该太阳能单晶硅电池片的栅线根数为65~75,栅线宽度为60~70μm。
该专利中公开的电池片虽然可以降低电池片串联的电阻,但是,该电池片的结构过于简单,导致其光电转化效率低,产品质量差,因此,设计出一种高阻密栅多晶硅太阳能电池片是很有必要的。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种高阻密栅多晶硅太阳能电池片,该电池片具有产品性能好的特点。
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:高阻密栅多晶硅太阳能电池片,包括硅片,硅片为多晶硅硅片,其特征在于,所述硅片的正面印刷有正电极,正电极包括主栅线及多条与主栅线相垂直的彼此平行的细栅线,细栅线的数量为100-102根,细栅线的线宽为34-36μm;所述细栅线的外部设置连接框,连接框将各个细栅线的头尾两两相连,细栅线和连接框之间具有呈半圆形的加固环,加固环上开设有若干镂空孔。
采用以上结构,细栅线的数量为100-102根,细栅线的线宽为34-36μm,可以增加细栅线的高度与宽度两者之间的比值数,大大提高了其收集电流的能力,电池片效率得到较好的提升,同时,细栅线的外部设置连接框,连接框将各个细栅线的头尾两两相连,细栅线和连接框之间具有加固环,通过加固环可使细栅线和连接框两者可靠的连接,从而大大提高了产品的质量,产品性能好。
所述主栅线的数量为4-5条。
所述主栅线和细栅线的材料为银浆。
所述主栅线两端的线宽逐渐缩小,呈等腰梯形,主栅线两端还具有呈锯齿状的辅助部。
采用以上结构,可增加电池片两端的工作面积,同时,主栅线的两端不容易被剥离,结构合理。
所述主栅线中部还开设有若干呈方形的镂空槽,镂空槽内设置有呈X形的加固部。
采用以上结构,可增加电池片中部的工作面积,同时,主栅线的中部不容易被剥离,结构合理。
所述硅片的背面印刷有背电极,背电极为若干导电胶条。
采用以上结构,通过导电胶条可增加其焊接的牢度。
所述硅片的尺寸为长156×宽156mm。
采用以上结构,可方便电池片的加工制作。
与现有技术相比,本高阻密栅多晶硅太阳能电池片具有该优点:本实用新型中细栅线的数量为100-102根,细栅线的线宽为34-36μm,可以增加细栅线的高度与宽度两者之间的比值数,大大提高了其收集电流的能力,电池片效率得到较好的提升,同时,细栅线的外部设置连接框,连接框将各个细栅线的头尾两两相连,细栅线和连接框之间具有加固环,通过加固环可使细栅线和连接框两者可靠的连接,从而大大提高了产品的质量,产品性能好。
附图说明
图1是本实用新型的平面结构示意图。
图2是图1中A处的局部放大示意图。
图3是本实用新型中拆去部分的平面结构示意图。
图中,1、硅片;2、连接框;3、主栅线;3a、加固部;3b、镂空槽;3c、辅助部;4、细栅线;5、加固环;5a、镂空孔。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的