[实用新型]掺镓多晶硅电池

权利要求书

1.掺镓多晶硅电池，包括硅片，其特征在于，所述硅片为掺镓多晶硅硅片，硅片的正面镀有双层减反射膜，双层减反射膜上印刷有正电极，正电极包括3条主栅线和98条细栅线，主栅线与细栅线相互垂直并导通，主栅线上开设有若干个镂空孔，且镂空孔交错分布，主栅线的四周还具有呈锯齿状的辅助部；硅片的背面印刷有3条背电极，背电极为分段不连续结构，背电极分为4段，每段长度为15-16mm，每段宽度为1.7-1.9mm，每段上还具有若干个连接脚，连接脚长度为0.23-0.27mm。

2.根据权利要求1所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述双层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜和第二层膜，第二层膜的厚度大于第一层膜的厚度，第一层膜的厚度为18-22nm，第二层膜的厚度为58-62nm。

3.根据权利要求2所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述第一层膜为氮化硅膜，第二层膜为二氧化钛膜。

4.根据权利要求2所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述第一层膜和第二层膜均为氮化硅膜。

5.根据权利要求1所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述硅片的四角为圆角，圆角的半径为3-5mm。

6.根据权利要求5所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述硅片的厚度为168-178μm。

7.根据权利要求6所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述硅片的四周喷涂有绝缘膜层，绝缘膜层上还设置有若干凸出的防滑部。