[实用新型]UV芯片导线架模组

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED导线架技术领域，尤其涉及一种UV芯片导线架模组。

背景技术

随着各种电子器件集成时代的到来，电子整机对电路小型化、高密度、多功能性、高可靠性、高速度及大功率化提出了更高的要求，因为共烧多层陶瓷基板能够满足电子整机对电路的诸多要求，所以在近几年获得了广泛的应用。共烧多层陶瓷基板可分为高温共烧多层陶瓷(HTCC)基板和低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板两种。高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷相比具有机械强度高、布线密度高、化学性能稳定、散热系数高和材料成本低等优点，在热稳定性要求更高、高温挥发性气体要求更小、密封性要求更高的发热及封装领域，得到了更为广泛的应用。HTCC陶瓷发热片主要是替代现在使用最广泛的合金丝电热元件和PTC 电热元件及其组件。合金丝电热元件存在高温容易氧化、寿命短、有明火不安全、热效率低、加热不均匀等缺点;而PTC 电热元件的加热温度一般只有200℃左右，加热温度高于120℃的则普遍采用四氧化三铅，由于含铅量大而正属被淘汰的产品。

实用新型内容

针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种可增加载体光反射率、降低光衰、增加可靠性的UV芯片导线架模组。

为实现上述目的，本实用新型提供一种UV芯片导线架模组，包括导线架本体、设置在导线架本体上的多个基板和由基板延伸出的多个多边形陶瓷碗杯，每个多边形陶瓷碗杯的底部两侧分别设有可键合倒装芯片的功能区，且两侧功能区与基板之间均通过连接层固定连接；两侧功能区的表面均通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层，两侧功能区之间设有隔离板，且两侧功能区通过隔离板隔离；UV芯片的正电极倒装键合在一侧功能区上，且UV芯片的负电极倒装键合在另一侧功能区上后，UV芯片、金属镀层、连接层及基板依次电连接。

其中，两侧功能区的厚度均比隔离板的厚度大，且两侧功能区与隔离板之间形成台阶结构。

其中，所述连接层和金属镀层的厚度均为60-120微米。

其中，所述金属镀层为银层或金层，所述隔离板为PPA塑料，所述基板的材质为氧化铝、氮化铝、EMC、SMC、铜或铝中的一种，且所述连接层的材质为镍、铜或金中的一种。

其中，所述多边形陶瓷碗杯的形状为对称的四边形、五边形、六边形、七边形或八边形中的一种。

本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的UV芯片导线架模组，适用于UV芯片倒装键合在功能区上，两个功能区之间通过隔离板隔开，倒装键合在功能区上的方式使得热电分离，有效降低光衰，且增加了产品的可靠性，方便二次光学透镜组装；在两侧功能区的表面均通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层，磁控溅射的方式使得功能区表面金属化，利于电镀金属镀层，有效增加功能区的光反射率；多边形陶瓷碗杯有利于增加碗杯深度，提升角度及亮度，防潮效果好。

附图说明

图1为本实用新型的UV芯片导线架模组的单个基板的立体图；

图2为本实用新型的UV芯片导线架模组的单个基板的俯视图；

图3为本实用新型的UV芯片导线架模组的单个基板的第一剖视图；

图4为本实用新型的UV芯片导线架模组的单个基板的第二剖视图。

主要元件符号说明如下：

1、基板 2、多边形陶瓷碗杯

3、金属镀层 4、连接层

21、功能区22、隔离板。

具体实施方式

为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。

请参阅图1-4，本实用新型的UV芯片导线架模组，包括导线架本体（图未示）、设置在导线架本体上的多个基板1和由基板1延伸出的多个多边形陶瓷碗杯2，每个多边形陶瓷碗杯2的底部两侧分别设有可键合倒装芯片的功能区21，且两侧功能区21与基板1之间均通过连接层4固定连接；两侧功能区21的表面均通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层3，两侧功能区21之间设有隔离板22，且两侧功能区21通过隔离板22隔离；UV芯片的正电极倒装键合在一侧功能区21上，且UV芯片的负电极倒装键合在另一侧功能区21上后，UV芯片、金属镀层3、连接层4及基板1依次电连接。多个基板1在导线架本体上为连片设计，利于提高生产效率。