[发明专利]一种芯片的制造方法有效
申请号: | 201711499148.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108231679B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 卢海伦;周锋;施陈 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;G03F7/30;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 制造 方法 | ||
本发明公开一种芯片的制造方法。所述方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上形成正向光阻层及包裹于正向光阻层上的芯片组件,芯片组件呈矩阵排布方式包裹于正向光阻层上;对正向光阻层进行曝光处理;对经过曝光处理的正向光阻层进行显影处理,以去除正向光阻层的位于相邻两个所述芯片组件之间的部分。基于此,本发明只需要对正向光阻层进行曝光处理及显影处理,相邻芯片之间的连接部分即可被去除,无需切割工艺即可实现各芯片之间的分离,有助于提升产品良率。
技术领域
本发明涉及电路制造领域,具体涉及芯片制造领域,尤其涉及一种芯片的制造方法。
背景技术
随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化,便携式,超薄化,多媒体化以及满足大众需求的低成本方向发展,高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。
在芯片倒装及封装工艺中,承载芯片的基板为一体式结构,该基板上划分有呈阵列排布的小单元,每一小单元为一颗芯片的所在区域。结合图1~图3所示,传统的倒装工艺通过钻孔和电镀等工序在基板10的每一小单元11上形成具有芯片12的芯片组件121,然后再进行水洗及烘烤等工序,接着再进行绿漆122塑封、烘烤等工序,直至形成矩阵排布于基板10上一颗颗芯片12,而后将基板10吸附固定于一平台31上,通过切割刀20对基板10进行切割,以此将一颗颗芯片12分割开来。
在实际切割过程中,切割工序经常会遇到很多质量问题,例如切割偏移及切割毛刺,容易影响产品良率,并且在切割时需要利用高压水进行冲洗,容易产生产品纷失问题,不利于提升产品良率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种芯片的制造方法,无需切割工艺即可实现各芯片之间的分离,避免因切割偏移及切割毛刺导致的良率损失,有助于提升产品良率。
本发明一实施例的芯片的制造方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成正向光阻层及包裹于所述正向光阻层上的芯片组件,所述芯片组件呈矩阵排布方式包裹于所述正向光阻层上;
对所述正向光阻层进行曝光处理;
对经过所述曝光处理的正向光阻层进行显影处理,以去除所述正向光阻层的位于相邻两个所述芯片组件之间的部分。
可选地,所述芯片组件包括上下连接的第二子电路和第一子电路,在所述衬底基板上形成正向光阻层及包裹于所述正向光阻层上的芯片组件,包括:
在所述衬底基板上形成矩阵排布的第一子电路;
在所述衬底基板上形成包裹所述第一子电路的第一正向光阻层;
在所述第一正向光阻层上形成矩阵排布的第二子电路,且所述第二子电路与所述第一子电路一一对应连接;
在所述第一正向光阻层上形成包裹第二子电路的第二正向光阻层。
可选地,所述第一正向光阻层暴露位于所述第一子电路上端的电接触区,所述第二子电路的下端通过所述电接触区与所述第一子电路连接。
可选地,所述第一正向光阻层包裹所述第一子电路的上端,在所述第一正向光阻层上形成矩阵排布的第二子电路之前,所述方法还包括:
对所述第一正向光阻层进行钻孔,以暴露位于所述第一子电路上端的电接触区。
可选地,所述第二子电路为具有引脚的芯片,所述第一子电路为引线支架,所述第一子电路和第二子电路通过所述引脚连接。
可选地,采用发出紫外光的灯源对所述正向光阻层进行曝光处理。
可选地,对所述正向光阻层进行曝光处理之前,所述方法还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造