[发明专利]用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂

权利要求书

1.用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂，其特征在于：包括以下重量份的原料制备而成：环氧树脂硬胶60-90份、人造香叶油10-18份、对羟基苯磺酸3-10份、二甲基替苄胺1-3份、氢化蓖麻油1-3份、三氧化二锑5-8份、滑石粉1-3份、石英2-5份、氧化铝2-5份、碳化硅1-3份、合成纳米颗粒10-20份；所述合成纳米颗粒包括：氮化硼1-5份,二硼化钛1-5份,氮化铝1-5份,氧化铝5-10份,氧化锆5-10份,碳化硅5-10份。

2.根据权利要求1所述用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂，其特征在于：包括以下重量份的原料制备而成：环氧树脂硬胶70-80份、人造香叶油12-15份、对羟基苯磺酸5-8份、二甲基替苄胺2-3份、氢化蓖麻油2-3份、三氧化二锑5-6份、滑石粉1-2份、石英2-4份、氧化铝2-4份、碳化硅1-2份、合成纳米颗粒12-18份。

3.根据权利要求1所述用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂，其特征在于：包括以下重量份的原料制备而成：环氧树脂硬胶75份、人造香叶油14份、对羟基苯磺酸6份、二甲基替苄胺2份、氢化蓖麻油2份、三氧化二锑5份、滑石粉1份、石英3份、氧化铝3份、碳化硅2份、合成纳米颗粒15份。

4.用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂的制备方法，包括如下步骤：

(1)将环氧树脂硬胶、人造香叶油、对羟基苯磺酸、二甲基替苄胺，加入反应釜内，蒸汽加热后，加入氢化蓖麻油，当反应釜内温度升到45～55℃，加入三氧化二锑、滑石粉、石英，立即密封，当反应釜内温度升到96～98℃时，关闭蒸汽加热，然后当反应釜内温度降至90℃，保温1小时并冷却；

(2)加入氧化铝、碳化硅，并搅拌，开启蒸汽加热，当反应釜内温度升到40～50℃时，加入采用氮化硼3份、二硼化钛3份、氮化铝3份、氧化铝8份、氧化锆8份、碳化硅8份混合制备而成的合成纳米颗粒，加料完毕后，立即密封，反应釜内逐渐升温到65～75℃，并保持时间15～30分钟，然后将反应釜内温度升到85～92℃，静置，然后即 得用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂。

5.根据权利要求4所述的用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的最后冷却温度为到40℃以下。

6.根据权利要求4所述的用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的静置时间为1小时30分钟。