[发明专利]光刻胶图案的制备方法在审
| 申请号： | 201711487979.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108153109A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 赵芬利 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶图案 制备 基板 光引发剂 光刻胶层 交联反应 预定图案 驻波场 烘烤 紫外光照射 颗粒聚集 光刻胶 预期的 光罩 显影 驻波 去除 节约 | ||
1.一种光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下述步骤：
S1、在基板上形成包括光引发剂颗粒的光刻胶层；
S2、将形成有光刻胶层的基板置于驻波场中，使得光引发剂颗粒聚集而在基板上形成预定图案；
S3、对形成有预定图案的基板执行真空干燥、前烘烤和紫外光照射，使驻波点处的光引发剂颗粒发生交联反应；
S4、通过显影去除未发生交联反应区域的光刻胶，然后进行后烘烤，得到预期的光刻胶图案。
2.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层采用的是正性光刻胶，在步骤S2中，所述光引发剂颗粒在非驻波点处聚集而形成所述预定图案。
3.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层采用的是负性光刻胶，在步骤S2中，所述光引发剂颗粒在驻波点处聚集而形成所述预定图案。
4.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述光引发剂颗粒的粒径为0.01μm～0.1μm。
5.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：调整所述驻波场的频率以控制所述预定图案的线宽或者所述预定图案的间距。
6.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述驻波场的频率为20～500MHz。
7.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：调整所述基板在所述驻波场中的角度以控制所述光刻胶图案的形状。
8.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括重复所述步骤S1至步骤S4，其中，当重复所述步骤S2时，调整所述基板在所述驻波场中的角度。
9.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，基于所述光刻胶的总质量，所述光引发剂颗粒的质量百分比含量为0.2～0.6％。
10.根据权利要求1所述的光刻胶图案的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，将光刻胶涂布在所述基板上，以形成所述包括光引发剂颗粒的光刻胶层。
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