[发明专利]石英谐振器晶片的加工方法

权利要求书

1.一种石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,将石英晶片按以下步骤加工处理：

Ⅰ.镀金属膜：将布满晶片的晶片板放入镀膜机，先镀铬，然后镀金，最终铬和金以薄膜的形式沉积在晶片板表面，镀膜机真空度0.35—0.45Pa，金的溅射功率为0.65kW，铬的溅射功率为0.4kW；

Ⅱ.喷雾涂胶：将晶片板置于喷雾涂胶机中，喷涂光刻胶；

Ⅲ.软烘：将已涂胶晶片板置于烤箱中90℃-100℃的热板上，加热30-60s，然后置于常温烤箱的冷板上冷却降温；

Ⅳ.掩膜对准和曝光：将掩膜板对准涂了光刻胶的晶片板上的准确位置，进行曝光处理，光能激活光刻胶中的光敏成分，将掩膜板的图形转移到涂胶的晶片板上；

Ⅴ.曝光后烘焙：将曝光后的晶片板置于烤箱中100℃-110℃的热板上,烘焙1-2min;

Ⅵ.显影：将晶片板置于化学显影剂中，温度为20±1℃，光刻胶上的可溶区被显影剂溶解，将图形留在晶片板上，然后用去离子水冲洗甩干;

Ⅶ.坚膜烘焙：将显影后的晶片板置于烤箱中的热板上，120℃-140℃，烘焙10-30min；

Ⅷ.去除金属膜：将镀好金属膜和光刻胶的晶片板，置于夹具中，一起放入王水中浸泡15-20min去除各晶片的间隙中的金，然后用去离子水冲洗；之后再用硝酸铈铵溶液中浸泡-5min，去除各晶片的间隙中的铬，然后用去离子水冲洗；

Ⅸ.BOE腐蚀：使用BOE对晶片板片进行腐蚀，温度25±1℃，腐蚀完成后，晶片板上的各晶片之间不完全分离，晶片板处于镂空状态;

Ⅹ.去除光刻胶：用50％氢氧化钠溶液去除光刻胶；

Ⅺ.重复步骤Ⅱ-Ⅷ：去除晶片中心部位的金属膜；

Ⅻ.裂片：使晶片之间完全分离断裂，形成单独的晶片；

ⅩⅢ.腐蚀、清洗：将晶片置于腐蚀机中，通过腐蚀液进行腐蚀，然后冲洗并干燥;

所述腐蚀机包括壳体(1)、腐蚀腔(2)、腐蚀槽(3)、腐蚀筒(4)，驱动机构(5)、主动轴(6)、主动齿轮(7)和从动齿轮(8)，所述腐蚀腔(2)位于壳体(1)内，腐蚀槽(3)位于腐蚀腔(2)内，腐蚀筒(4)可拆卸的安装在腐蚀槽(3)内的卡槽中，主动轴(6)连接在腐蚀腔(2)一端，主动齿轮(7)连接在主动轴(6)上，主动齿轮(7)周围与若干从动齿轮(8)啮合，从动齿轮(8)连接在腐蚀槽(3)的一端，驱动机构(5)通过主动轴(6)带动腐蚀腔(2)旋转，每个腐蚀槽(3)内的卡槽的轴线与旋转轴呈夹角α，α为7°30′。

2.如权利要求1所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,所述腐蚀液的配制步骤如下：

a.制备氟化氨溶液：取容器A按氟化铵和去离子水重量比1:1.35混合，搅拌均匀；

b.制备氢氟酸溶液：取容器B先加入去离子水,再加入氢氟酸，去离子水和氢氟酸重量比按1:0.27，

c.配制表面剥离剂：全氟辛基磺酸胺：异丙醇：去离子水按重量比1:0.7:2配制成表面剥离剂；

d.加入表面剥离剂：氟化氨溶液与容器B的溶液按体积比1:2混合，然后比例为每升腐蚀液加入50ml表面剥离剂；

e.静置：先将d步骤制备的溶液25±1℃静置12h，然后50±2℃静置12h，形成腐蚀液。

3.如权利要求2所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,步骤ⅩⅢ中腐蚀温度：25±1℃；腐蚀机转速：70-90r/min。

4.如权利要求3所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,所述晶片为AT切割石英晶片而成的反台形结构。

5.如权利要求4所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,显影液的配制重量比为，氢氧化钠：去离子水＝1:20。

6.如权利要求5所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,硝酸铈铵溶液配制重量比为，硝酸铈铵：去离子水＝1:10。