[发明专利]双功能反应炉

说明书

本发明提供了一种双功能反应炉，用于待处理基底表面材料层的生长及刻蚀，包括如下部分：用于放置待处理基底的炉管；位于炉管外围的炉体；位于炉体内且位于炉管外围的加热装置；与炉管内部相连通，且用于向炉管内通入生长气体、生长液体、刻蚀气体及刻蚀液体中的至少一者的进口组件；与炉管内部相连通的出口组件；用于将炉管与外部连通或隔离，并向炉管内传入或传出待处理基底的炉门组件。本发明的反应炉支持待处理基底表面材料层进行生长或刻蚀反应，是一种结构简单，操作容易，便于控制，能连续生产，安全性高的材料生长和刻蚀设备。

技术领域

本发明涉及反应设备技术领域，特别是涉及一种双功能反应炉。

背景技术

目前常用的薄膜生长设备有MOCVD、PECVD和管式炉等。其中MOCVD和PECVD的设备价格昂贵、维护成本高，同时工艺过程复杂、生产效率较低。管式炉设备成本低廉，且可以一次同时容纳批量反应物进行反应，但受设备工艺条件所限，其使用范围较窄，限于在特定气氛条件下的薄膜生长或退火。

当前的管式炉设备一般只能支持反应物表面的材料层生长反应，而对于去除反应物表面材料层的刻蚀反应，由于设备组件一般无法在高温、易腐蚀的环境下工作而无法支持。而采用一般的等离子干法刻蚀或者湿法刻蚀则存在设备昂贵及维护成本高的问题。

此外，管式炉设备的反应一般在高温下进行，因此在反应过程结束后，设备内部还处于高温状态，需要关闭加热系统，等待炉体温度下降到室温后才可卸载反应物，并装载下一批反应物进行反应，这也影响了设备的利用效率。

因此，有必要提出一种新的反应炉设备，解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种新的反应炉设备，用于解决现有的管式炉存在的功能单一及利用效率低等问题。

为了实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种双功能反应炉，所述双功能反应炉用于待处理基底表面材料层的生长及刻蚀，所述双功能反应炉包括：

用于放置待处理基底的炉管；

炉体，位于所述炉管外围；

加热装置，位于所述炉体内，且位于所述炉管外围；

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体、生长液体、刻蚀气体及刻

蚀液体中的至少一者的进口组件；

出口，与所述炉管内部相连通；

用于将所述炉管与外部连通或隔离，并向所述炉管内传入或传出所述待处理晶圆的炉门组件，所述炉门组件位于所述炉管的至少一端部。

作为本发明的一种优选方案，所述进口组件包括：

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体或生长液体的第一进口；

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入刻蚀气体或刻蚀液体的第二进口。

作为本发明的一种优选方案，所述进口组件包括：

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体的第一进口；

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长液体的第二进口；

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入刻蚀气体的第三进口；

与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入刻蚀液体的第四进口。

作为本发明的一种优选方案，所述炉管为卧式管式炉或立式管式炉。

作为本发明的一种优选方案，所述炉门组件包括：