[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括高频区组和低功耗区组；位于高频区组上的高频类型逻辑标准单元，高频类型逻辑标准单元有高频类型单元高度、高频类型工作频率和高频类型功率；位于低功耗区组上的低功耗类型逻辑标准单元，低功耗类型逻辑标准单元有低功耗类型单元高度、低功耗类型工作频率和低功耗类型功率，高频类型单元高度大于低功耗类型单元高度，高频类型工作频率大于低功耗类型工作频率，高频类型功率大于低功耗类型功率；高频类型逻辑标准单元包括高频类型鳍部，低功耗类型逻辑标准单元包括低功耗类型鳍部，高频类型鳍部的有效高度大于低功耗类型鳍部的有效高度。所述半导体器件的性能得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏掺杂区。

随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。

然而，现有技术中鳍式场效应晶体管构成的半导体器件的性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高频区组和低功耗区组；位于高频区组上的高频类型逻辑标准单元，高频类型逻辑标准单元具有高频类型单元高度、高频类型工作频率和高频类型功率；位于低功耗区组上的低功耗类型逻辑标准单元，低功耗类型逻辑标准单元具有低功耗类型单元高度、低功耗类型工作频率和低功耗类型功率，高频类型单元高度大于低功耗类型单元高度，高频类型工作频率大于低功耗类型工作频率，高频类型功率大于低功耗类型功率；高频类型逻辑标准单元包括位于半导体衬底上的高频类型鳍部，低功耗类型逻辑标准单元包括位于半导体衬底上的低功耗类型鳍部，高频类型鳍部的有效高度大于低功耗类型鳍部的有效高度。

可选的，所述高频区组包括N个相互分立的第一高频区至第N高频区，N为大于等于2的整数；所述高频类型逻辑标准单元包括第一高频逻辑标准单元至第N高频逻辑标准单元，第一高频逻辑标准单元位于半导体衬底的第一高频区上，第一高频逻辑标准单元具有第一高频单元高度C_h1、第一高频工作频率f_h1和第一高频功率P_h1，第N高频逻辑标准单元位于半导体衬底的第N高频区上，第N高频逻辑标准单元具有第N高频单元高度C_hN、第N高频工作频率f_hN和第N高频功率P_hN，C_h1至C_hN依次递减，f_h1至f_hN依次递减，P_h1至P_hN依次递减；第一高频逻辑标准单元包括位于半导体衬底第一高频区上的第一高频鳍部，第N高频逻辑标准单元包括位于半导体衬底第N高频区上的第N高频鳍部，第一高频鳍部的有效高度至第N高频鳍部的有效高度依次递减。

可选的，还包括：位于所述半导体衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖第一高频鳍部的部分侧壁至第N高频鳍部的部分侧壁；第一高频鳍部的有效高度为第一高频鳍部的顶部表面至隔离结构表面的距离；第N高频鳍部的有效高度为第N高频鳍部的顶部表面至隔离结构表面的距离。