[发明专利]含锆聚碳硅烷的制备方法在审
申请号: | 201711485711.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108070088A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 吴宝林;侯振华 | 申请(专利权)人: | 南昌嘉捷天剑新材料有限公司 |
主分类号: | C08G77/398 | 分类号: | C08G77/398;D01F9/10 |
代理公司: | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人: | 高江玲 |
地址: | 330000 江西省南昌市南昌高*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚碳硅烷 制备 反应原料 聚二甲基硅烷 正丁醇锆 粗产物 二甲苯 预处理 碳化硅纤维 反应压力 加热搅拌 升温程序 物理方式 蒸馏 抽真空 断头率 反应釜 可纺性 溶剂 粉体 挥发 催化剂 过滤 溶解 引入 | ||
1.一种含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于,包括步骤:
S1:将经过预处理的聚二甲基硅烷和正丁醇锆粉体溶于二甲苯中,然后加入催化剂,加热搅拌至溶剂完全挥发,得到混合均匀的反应原料;
S2:将所述反应原料置于反应釜内,通入惰性气氛,并预加反应压力;设置升温程序,反应结束后降至室温,得到含锆粗产物;
S3:将所述含锆粗产物加入二甲苯中,充分溶解后过滤,在收集的滤液中通入惰性气氛,升温至340~380℃,抽真空蒸馏,收集馏分,得到含锆聚碳硅烷。
2.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于,
S2中,所述升温程序具体包括:将反应温度于0.5h时升温至180~200℃,保温0.5h;之后1h时升温至250~280℃,保温8~10h;之后1h时升温至420~460℃,保温2~4h。
3.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于,
S1中,所述预处理具体包括步骤:将聚二甲基硅烷置于蒸馏装置中,在惰性气氛保护下进行普通蒸馏,收集100~105℃馏分,得到经过预处理的聚二甲基硅烷。
4.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于:
S1中,所述正丁醇锆粉体的制备方法包括步骤:将正丁醇锆球磨24~48h,然后过800目筛,获得均匀粉体,即所述正丁醇锆粉体。
5.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于:
S1中,所述催化剂为二茂铁;所述经过预处理的聚二甲基硅烷、所述正丁醇锆粉体、所述二茂铁和所述二甲苯的质量比为(10~20):1:(0.05~0.1):(20~40)。
6.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于:
S1中,所述加热的温度为60~80℃,所述搅拌的速率为200~400r/min。
7.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于:
S2中,所述反应釜为高压釜,所述预加的反应压力为1~2MPa。
8.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于:
S3中,所述含锆粗产物与所述二甲苯的质量比为1:(1~2),所述惰性气氛的流量为100~200ml/min,所述升温的速率为100~200℃/h。
9.根据权利要求1所述的含锆聚碳硅烷的制备方法,其特征在于:
所述惰性气氛为高纯氮气和/或氩气。
10.权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的含锆聚碳硅烷。
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