[发明专利]一种耐高温电容器薄膜及其电容器

说明书

本发明一种耐高温电容器薄膜及其电容器，旨在提供一种耐高温、介质损耗因子低、耐压性能好、轻型化的耐高温电容器薄膜及其电容器。此种耐高温电容器薄膜包括聚‑4‑甲基‑1‑戊烯薄膜，是在聚‑4‑甲基‑1‑戊烯薄膜的至少一个面上真空蒸镀纳米级的Al或Zn/Al镀层。本发明所述的耐高温电容器上述所述的耐高温电容器薄膜制成。

技术领域

本发明涉及耐高温电容器薄膜及其电容器。

背景技术

目前，高分子薄膜及其电容器在各种电子领域广泛应用，但由于各种高分子薄膜本身的性能导致由其制成的电容器的应用受限。以目前最为常见的金属化聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜电容器和金属化聚丙烯薄膜电容器来说。由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜制造的电容器最大工作温度能够达到150℃，在高温运行上有优势。但其介质损耗因子高达0.005，电容器发热量较大，直接降低了电容器能够运行的环境温度。由聚丙烯薄膜制造的电容器各项性能比较均衡，但由于介质损耗因子仅为0.0002，介质发热量不高。且最大工作温度只能够达到105℃，限制了聚丙烯薄膜电容器在高温环境下的应用。在随着电子领域小型化，轻型化，运行温度条件恶化等要求下，需要能够有一种高分子薄膜及其电容器同时兼顾聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯的优点，即可以在高温条件下运行而且自身的损耗因子也较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种耐高温、介质损耗因子低、耐压性能好、轻型化的耐高温电容器薄膜及其电容器。

为解决上述技术问题，本发明所述的耐高温电容器薄膜，包括聚-4-甲基-1-戊烯薄膜，于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的至少一个面上真空蒸镀纳米级的Al或Zn/Al镀层。

作为本发明的进一步改进，聚-4-甲基-1-戊烯薄膜中添加增塑剂、抗氧化剂、热稳定剂中的任意一种或其结合。

作为本发明的进一步改进，聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的厚度为2.5μm～25μm。

作为本发明的进一步改进，纳米级Al或Zn/Al镀层的方阻为0.5Ω/□～300Ω/□，纹路和方阻分布形式不限。

耐高温电容器由上述所述的耐高温电容器薄膜制成。

综上所述本发明的有益效果：（1）聚-4-甲基-1-戊烯薄膜运行温度可以达到140～160℃，耐温性上不逊于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；（2）聚-4-甲基-1-戊烯相对介电常数为2.1，和聚丙烯的相对介电常数2.2基本一致；（3）聚-4-甲基-1-戊烯密度为0.835g/cm³，聚丙烯密度为0.905 g/cm³，聚对苯二甲酸乙二醇酯密度为1.4 g/cm³，有利于电容器的轻型化；（4）聚-4-甲基-1-戊烯的介质损耗因子为0.0008，比聚丙烯略高，但远远低于聚对苯二甲酸乙二醇酯。加上本身的高运行温度，由其制成的电容器所能够承受的运行温度高于聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯；（5）聚-4-甲基-1-戊烯的介电强度为600V/μm和聚丙烯持平，大于聚对苯二甲酸乙二醇酯的430V/μm，由其制成的电容器的耐压性能能够满足使用要求；（6）在本发明中金属层为真空蒸镀在电容器薄膜上，因此电容器也拥有金属化电容器的自愈性。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步描述：

实施例一：

本发明所述的耐高温电容器薄膜，包括厚度为25μm的聚-4-甲基-1-戊烯薄膜，于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的一个面上真空蒸镀方阻为6Ω/□～50Ω/□的Al或Zn/Al镀层，纹路不限。

耐高温电容器由上述耐高温电容器薄膜制成。

实施例二：