[发明专利]一种整平剂

说明书

本发明公开了一种整平剂，所述整平剂由一种或多种含氮杂环化合物、二种以上的多环氧基化合物和一种或多种多胺化合物反应而成的数均分子量分布在500‑20000的聚合物；使用本发明的整平剂进行电镀铜，可以获得在具有高厚径比通孔的孔口、孔内与基材表面，或者基材表面与高密度互连盲孔内部厚度均匀，表面光滑平整的铜层，使得铜电镀液具有良好的均镀能力和深镀能力，特别对厚径比达到15以上的通孔以及高密度互连盲孔有较好的镀覆能力，解决了现有整平剂的均镀能力和深镀能力不能满足现实需要的问题。

技术领域：

本发明涉及电镀领域，具体涉及一种整平剂。

背景技术：

目前，随着电子设备的功能增加和携带方便性的不断进步，电子设备中所使用的电路基板趋向小型化。通常而言，电路基板一般包括印制线路板和半导体晶片。为了实现基板内部电路的互连互通，多层板是一个可选方案。此类基板通过通孔来实现上述目的，但通常这种多层板具有高的厚径比即板厚度与通孔直径的比值，例如，厚径比达到10:1，甚至20:1。此类结构增加了基板上镀铜的难度，降低孔内镀铜均匀性即深镀能力(Throwingpower，Tp值)。深镀能力定义为通孔中心的铜沉积厚度与其表面厚度的比率。

另外，多层板之间电路的连接也可通过高密度互连技术实现，此类技术主要通过盲孔连接来实现，盲孔的填充要实现填充最大化，同时整个基板表面的铜沉积物厚度变化最小化。在此类盲孔沉积均匀铜层的难度与盲孔的孔深和直径比值成正比关系，孔深直径比越大，沉积平整铜层的难度也越大。盲孔电镀效果一般用Dimple值来表述。Dimple值是指盲孔电镀后的凹陷值，当镀铜后盲孔镀层中心位置往下凹陷则Dimple值为正，如果镀层中心凸出铜面则Dimple值为负。

在电路板的电镀领域中，技术人员都知道：在电镀过程中，基板表面的电压降会沿着具有不规则形状的表面发生变化，而使得金属沉积不均匀，其中凸点的负电位高，凹点的负电位较低，孔口角的负电位会很高，要实现基板表面(包括孔内表面)整个铜沉积物厚度变化最小，是一种严峻的挑战。

为了实现在具有不规则形状几何结构基板上电镀厚度均匀、平整铜层的目的，技术人员通常在电镀铜液中加入某些功能添加剂，例如，整平剂，加速剂和抑制剂等。整平剂是对铜层厚度均匀性和平整性起决定性作用的添加剂。

目前的电镀整平剂在具有高厚径比通孔或者高密度互连盲孔填孔的基板电镀时中，并不总能满足在基板表面和通孔或者盲孔沉积均匀铜层的要求。例如，CN105732974A公开了一种用于电镀铜液的整平剂化合物，主要由氨基磺酸、胺、聚环氧基化合物和表卤代醇反应得到，但含有该整平剂的镀铜液只能镀覆厚径比约11的通孔，而且对厚径比大于15的通孔以及盲孔并未显示出有较好的镀覆能力，而且该整平剂的均镀能力并不能满足现实需求。

因此，仍需对新的整平剂进行开发，以解决上述突出的现实需求。

发明内容：

本发明的目的是提供一种新的整平剂，利用含有该整平剂的镀铜液电镀时，能在具有高厚径比通孔和高密度互连盲孔的基板上获得均匀、平整的铜层，特别对厚径比达到15以上的通孔以及高密度互连盲孔有较好的镀覆能力，解决了现有整平剂的均镀能力和深镀能力不能满足现实需要的问题。

本发明是通过以下技术方案予以实现的：

一种整平剂，所述整平剂由一种或多种含氮杂环化合物、二种以上的多环氧基化合物和一种或多种多胺化合物反应而成的数均分子量分布在500-20000的聚合物。

所述含氮杂环化合物是指，环上含有至少一个氮原子的有机环状化合物，其可以是芳族或非芳族，可以具有连接到环上的一个或多个取代基，优选地，所述含氮杂环化合物选自咪唑、苯并咪唑、哌啶、吡咯、吡唑、三唑、四唑、嘧啶、吡啶、吡嗪、吡咯烷或其碳原子上的氢被取代基取代的衍生物。