[发明专利]具有IGBT区和不可切换二极管区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底(100)，其具有前侧(101)、与所述前侧(101)相对的后侧(102)、漂移层(113)和本体层(112)，所述本体层(112)被布置在所述前侧(101)与所述漂移层(113)之间并且与所述漂移层(113)形成pn结；

前金属化部(171)，其被布置在所述前侧(101)上并且与所述本体层(112)欧姆连接；

栅极金属化部(173)；

绝缘栅双极晶体管IGBT单元区，其包括与所述栅极金属化部(173)欧姆连接、并且与所述半导体衬底(100)电绝缘的栅电极(121)；以及

续流二极管区，其与所述IGBT单元区相邻，并且包括与所述前金属化部(171)欧姆连接且与所述半导体衬底(100)和所述栅电极(121)分隔开的场电极(131)，

其中，在与所述前侧(101)垂直的第一竖直截面中，所述栅电极(121)被布置在延伸穿过所述本体层(112)的相应的第一沟槽(120)中，

其中，在与所述第一竖直截面平行且间隔开的第二竖直截面中，所述场电极(131)被布置在延伸穿过所述本体层(112)的相应的第二沟槽(120’)中，

其中，在与所述前侧(101)平行的水平面上的正交投影中，所述场电极(131)成形为第二条形，并且所述栅电极(121)成形为被布置在所述第二条形的虚拟延伸部分中的第一条形，

其中，所述栅电极延伸到附加沟槽中并且通过形成在所述附加沟槽中的电极而彼此连接，

其中，所述附加沟槽在所述第一沟槽和所述第二沟槽的纵向方向的横向方向上纵向延伸，

其中，所述续流二极管区和相邻的IGBT单元区通过所述附加沟槽彼此间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述续流二极管区中没有布置能够操作的可切换沟道区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述续流二极管区中的场电极是第一场电极，以及其中，所述半导体器件还包括布置在相应的第三沟槽中的第二场电极，所述第三沟槽在平行于所述第一沟槽的所述第一竖直截面中延伸穿过所述本体层，其中，所述第三沟槽中的两个或更多个第二场电极被布置在所述第一沟槽中两个相邻栅电极之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述续流二极管区中的第一场电极与触点交错，以及其中，所述第三沟槽中的布置在所述第一沟槽中的两个相邻栅电极之间的两个或更多个第二场电极不与所述触点交错。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述续流二极管区中的场电极与触点交错，以及其中，所述第二沟槽与所述附加沟槽之间的距离等于或小于所述触点与所述附加沟槽之间的在平行于所述第二沟槽的方向上的距离。