[发明专利]电化学检测器

权利要求书

1.一种电化学检测器，包括：

设置成邻近于或者接近薄膜晶体管装置结构的物质选择结构，其中所述物质选择结构和所述薄膜晶体管装置结构分别在第一掺杂硅基板和第二掺杂硅基板上制造；以及

固定连接到所述第一掺杂硅基板和所述第二掺杂硅基板的导电中间基板，使得所述导电中间基板与所述第一掺杂硅基板和所述第二掺杂硅基板直接接触，从而将所述物质选择结构和所述薄膜晶体管装置结构电连接和物理连接，其中所述导电中间基板包括铜基板；

其中，

所述薄膜晶体管装置结构包括具有活跃层和源极/漏极电极的薄膜晶体管，该薄膜晶体管形成在所述第二掺杂硅基板上；

所述物质选择结构定义了所述薄膜晶体管的延伸的栅极电极，该物质选择结构包括设置在所述第一掺杂硅基板上的分子印迹聚合物层；

所述薄膜晶体管的所述延伸的栅极电极以及所述源极/漏极电极，被配置在所述薄膜晶体管的所述活跃层的相对两侧，并且所述分子印迹聚合物层被配置为与具有分子结构的目标物质相互作用，以便通过所述第一掺杂硅基板、所述中间基板和所述第二掺杂硅基板形成的电连接来改变所述薄膜晶体管装置结构的电子特征；该电子特征包括所述薄膜晶体管的阈值电压，或者在预定栅极偏压和预定源极-漏极偏压下的所述薄膜晶体管上的饱和漏极电流。

2.如权利要求1所述的电化学检测器，其中，所述物质选择结构布置成与所述目标物质的至少一个分子相互作用。

3.如权利要求2所述的电化学检测器，其中，每一个所述物质选择结构包括分子选择电极。

4.如权利要求3所述的电化学检测器，其中，所述分子印迹聚合物层被布置成容纳所述至少一个分子，其中，所述目标物质与所述分子印迹聚合物层接触。

5.如权利要求4所述的电化学检测器，其中，所述分子印迹聚合物层包括多个空穴，每一个所述空穴布置成容纳所述目标物质的分子。

6.如权利要求5所述的电化学检测器，其中，所述多个空穴包括匹配所述至少一个分子的分子结构。

7.如权利要求6所述的电化学检测器，其中，所述多个空穴对于所述目标物质为具选择性的。

8.如权利要求1所述的电化学检测器，其中，所述分子印迹聚合物层包括分子印迹聚合物层，该分子印迹聚合物包括多个聚合物颗粒，每个所述聚合物颗粒具有大约50μm的尺寸。

9.如权利要求4所述的电化学检测器，其中当所述分子印迹聚合物层容纳至少一个所述分子时，所述薄膜晶体管装置结构的所述电子特征改变。

10.如权利要求9所述的电化学检测器，其中，所述薄膜晶体管装置结构的所述电子特征通过所述物质选择结构的差分电容的变化而改变。

11.如权利要求10所述的电化学检测器，其中，所述薄膜晶体管装置结构的所述电子特征通过改变容纳至少一个所述分子的所述分子印迹聚合物层的介电常数而改变。

12.如权利要求1所述的电化学检测器，其中，所述目标物质包括增塑剂。

13.一种用于制造如权利要求1所述的电化学检测器的方法，包括以下步骤：

分别在第一掺杂硅基板和第二掺杂硅基板上制造物质选择结构和薄膜晶体管装置结构；以及

将所述第一掺杂硅基板和所述第二掺杂硅基板与导电中间基板固定安装，使所述导电中间基板与所述第一掺杂硅基板和所述第二掺杂硅基板直接接触，从而将所述物质选择结构和所述薄膜晶体管装置结构电连接和物理连接。