[发明专利]IC产品截面的纳米级高精度制备方法在审
| 申请号： | 201711479741.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108267348A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 乔彦彬;李建强;陈燕宁;邵瑾;赵扬;刘亮;马强;窦海啸;杨苗苗;张萌 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 李晓康;俞佳 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粗磨 制备 研磨 纳米级 样品状态 注塑 电流参数 截面样品 研磨位置 样品放置 样品截面 辨识度 粗砂纸 细砂纸 样品室 样品台 试验 吹干 精磨 精修 细磨 粘贴 清洗 观察 | ||
1.一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上，以得到待研磨样品，利用光学显微镜对所述待研磨样品进行初步观察，并对所述待研磨样品的待测区域进行标记，以方便研磨定位；
S2.采用粗砂纸对所述待研磨样品进行粗磨处理至目标位置附近，以得到粗磨样品；
S3.利用所述光学显微镜确认所述粗磨样品的最终研磨位置和样品状态；
S4.若所述样品状态不符合试验需求，则采用细砂纸对所述粗磨样品进行精磨处理，以得到细磨样品；若所述样品状态符合试验需求，则直接进行下一步骤；
S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理，以得到待FIB处理样品；
S6.将所述待FIB处理样品放置于FIB样品室中，根据所述待FIB处理样品的研磨状况调整FIB设备的样品台高度和旋转角度；以及
S7.根据待FIB处理样品的研磨状况，调整所述FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理，完成所述IC产品的样品截面制备，并得到理想界面图像。
2.根据权利要求1所述的纳米级高精度制备方法，其特征在于，步骤S6中的所述样品台高度为4-6mm，所述旋转角度为45°～59°。
3.根据权利要求1所述的纳米级高精度制备方法，其特征在于，步骤S7中的所述电压为30kV，所述电流为2.5nA～65nA。
4.根据权利要求1所述的纳米级高精度制备方法，其特征在于，步骤S2中的所述粗砂纸的型号选择200～600目砂纸中的一种或多种，所述粗磨处理的时间为1-5分钟。
5.根据权利要求1所述的纳米级高精度制备方法，其特征在于，步骤S4中的所述细砂纸的型号选择800～1500目砂纸中的一种或多种，所述细磨处理的时间为0.5-1分钟。
6.根据权利要求1所述的纳米级高精度制备方法，其特征在于，步骤S5中使用有机溶剂和去离子水进行所述清洗处理。
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