[发明专利]一种钾碳化锆共掺杂钨合金及其制备方法有效
| 申请号: | 201711479353.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN108149103B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 刘瑞;姚雄;谢卓明;方前锋;张涛;王先平;刘长松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号: | C22C27/04 | 分类号: | C22C27/04;C22C32/00;C22C1/05;C22C1/10 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 23060*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碳化锆 钨合金 钾掺杂 合金 共掺杂 纯钨 制备 等离子体刻蚀 退火 高温稳定性 重量百分比 低温韧性 合金元素 强度比 | ||
本发明公开了一种钾碳化锆共掺杂钨合金及其制备方法,钨合金由K、Al、Si、ZrC和W组成,按重量百分比计,K含量为0.003~0.03%,ZrC含量为0.1~1.5%,Al、Si合金元素的总含量小于等于0.05%,W含量为98.4~99.85%,其余为杂质。本发明的钨合金具有优异的低温韧性、高温强度和高温稳定性,在150℃即具有明显塑性;强度远高于钾掺杂钨和纯钨,也显著高于钨‑碳化锆合金;在1600℃退火1小时后,本发明的钨合金在500℃的强度比相同条件的钾掺杂钨及钨‑碳化锆合金提高40%以上。本发明的抗等离子体刻蚀性能与钨‑碳化锆合金相近,但优于钾掺杂钨和纯钨。
技术领域
本发明属于聚变堆面向等离子体壁材料领域,具体涉及一种钾碳化锆共掺杂钨合金,本发明还涉及该钨合金的制备方法。
背景技术
核聚变反应堆中的面向等离子体壁材料需要在高温、高热负荷冲击、高能粒子轰击等极端苛刻的条件下服役,是聚变能开发的关键。金属钨由于其具有高熔点、高强度、低热膨胀系数、高热导率、抗溅射、低氘氚滞留等特性,被认为是最有希望的聚变堆面向等离子体壁候选壁材料之一。然而,钨存在室温脆性(商业纯钨的韧脆转变温度约400℃)、再结晶脆化(纯钨再结晶温度范围约为1100~1300℃)及辐照脆化等不足,而且纯W在1000℃以上高温下强度大幅降低,这些都限制了钨材料在核聚变堆中的应用。因此,需要不断提升钨合金的韧性、高温强度和高温稳定性,从而为未来聚变堆所需的面向等离子体壁材料的开发打下基础,同时高性能的钨合金在国防及高温工业领域也有很好的应用前景。
为了改善金属钨的强度和韧性,人们开展了大量研究和尝试,使钨的性能得到了显著提高。在钨中添加高熔点第二相颗粒,如碳化钛、碳化锆、氧化镧、氧化钇等,能够起到弥散强化和细化钨晶粒的作用,可以提高钨的高温强度和再结晶温度,但是往往又导致韧性的降低,其主要原因在于粗大第二相颗粒在晶界处偏聚导致应力集中和脆化。YujinWang发表的题为“Influence of ZrC content on the elevated temperature tensileproperties of ZrCp/W composites”,《Materials Science and EngineeringA》528(2011)1805-1811的研究报道的ZrC颗粒增强的钨材料中,ZrC的粒径为微米级别,ZrC的添加量为20~50%体积分数,其特点是热导率低、抗高温抗烧蚀性能好,但是韧性很低。又如周玉等在专利CN99120173中公开了一种碳化锆颗粒增强钨复合材料的制备方法,该复合材料中碳化物颗粒的体积分数为10%~50%,可以改善钨的高温强度、抗氧化和耐烧蚀能力,但碳化物颗粒含量高且尺寸大,导致材料的韧性和导热性能降低,不能满足聚变堆面向等离子体壁对高强韧、高热导率合金材料的需求。
针对上述问题,本申请人团队在专利“一种纳米结构钨-碳化锆合金及其制备方法”(CN 104388789B)以及发表的题为“Extraordinary high ductility/strength of theinterface designed bulk W-ZrC alloy plate at relatively low temperature”,《Scientific Reports》5(2015)16014的论文中,通过调控钨中碳化锆的尺寸和分布,使合金中的第二相为纳米尺寸且大多在晶粒内分布,利用晶粒内的纳米第二相颗粒钉扎或阻塞位错而提高强度,又避免了大颗粒在晶界处偏聚导致的应力集中和脆化,同时碳化锆还能吸收钨中的杂质氧,从而降低氧对钨的脆化作用,提高韧性,研制的纳米结构钨-碳化锆合金具有高强韧、良好导热性能以及优异的抗热冲击性能。
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